时间：2025/9/19 21:24:24
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SDV1005S5R5C0R5YPTF是一款由Samsung Electro-Mechanics（三星电机）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高可靠性、高性能的SDV系列。该器件采用微型0402（1005公制）封装尺寸，适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。此型号专为需要低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）的应用而设计，具备优异的高频性能和稳定性。该电容器的标称电容值为5.5pF，额定电压为50V，具有C0G（NP0）介质材料特性，意味着其电容值在温度、电压和时间变化下保持高度稳定。C0G材质的温度系数为0±30ppm/°C，电容值随温度波动极小，适用于对精度要求极高的射频（RF）、振荡器、滤波器和定时电路中。此外，该产品符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代自动化贴装生产线。SDV1005S5R5C0R5YPTF广泛应用于智能手机、无线通信模块、射频识别（RFID）、物联网设备以及汽车电子等领域，在这些应用中提供稳定的信号耦合、旁路和去耦功能。
型号：SDV1005S5R5C0R5YPTF
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装尺寸：0402 (1005) mm
电容值：5.5pF
容差：±0.05pF
额定电压：50V DC
介质材料：C0G (NP0)
温度系数：0±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：典型值约0.2nH
绝缘电阻：≥100GΩ 或 C×V ≥ 1000MΩ·μF
耐久性：在额定电压与最高工作温度下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%
可焊性：符合IEC 60068-2-20标准，润湿角小于90度
终端结构：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni/Sn），适用于回流焊工艺
SDV1005S5R5C0R5YPTF所采用的C0G（NP0）介质材料是目前最稳定的陶瓷介质之一，能够在整个工作温度范围内实现几乎零漂移的电容特性。这种材料的晶体结构具有极高的热稳定性，因此不会因温度变化而产生明显的介电常数波动，确保了电路中的频率响应一致性。这对于高频射频电路尤为重要，例如LC谐振回路、压控振荡器（VCO）、SAW滤波器匹配网络等，任何微小的电容偏移都可能导致频率失准或信号失真。此外，C0G材质还表现出极佳的电压独立性，即使施加接近额定电压的直流偏压，电容值也不会发生显著下降，这与X7R、X5R等高介电常数但非线性材料形成鲜明对比。
该器件的0402小型化封装不仅节省PCB空间，而且通过优化内部电极叠层结构，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了其自谐振频率（SRF）。更高的SRF意味着电容器能在更高频段保持容性行为，增强其在GHz级射频频段下的去耦和滤波效能。同时，低ESR有助于减少高频电流通过时的功率损耗和发热，提高系统整体效率和可靠性。
Samsung的制造工艺保证了产品的一致性和长期稳定性。每一颗电容器均经过严格的老化筛选和环境测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环、机械冲击和振动测试，以满足工业级和汽车级应用的严苛要求。其端电极采用双层镍锡结构，提供良好的抗迁移性能和焊接可靠性，避免因银离子迁移导致短路风险。此外，该产品支持高速贴片机进行自动化装配，具有优良的共面性和拾取兼容性，适合大规模生产使用。
SDV1005S5R5C0R5YPTF因其高精度、高稳定性和优异的高频性能，主要应用于对信号完整性要求极高的射频和模拟电路中。常见用途包括移动通信设备中的射频前端模块（如功率放大器、低噪声放大器、天线调谐电路）的匹配与耦合电容；在无线收发器中作为LC振荡电路的关键元件，用于维持稳定的载波频率；也可用于高精度定时电路、传感器信号调理电路以及高速数据转换器（ADC/DAC）的参考电压旁路。由于其宽温特性和长期稳定性，该器件同样适用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）雷达模块以及工业级无线传输设备。在5G毫米波、Wi-Fi 6E和蓝牙低功耗（BLE）等新兴技术平台中，该类型电容器扮演着关键角色，保障高频信号路径的纯净与高效。此外，它还可用于医疗电子设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，作为高可靠性旁路、去耦或滤波元件，确保系统在复杂电磁环境下稳定运行。
GRM1555C1H5R5CA01D
CC0402JRNPO9BN5R5
C1005C0G1H5R5C
