时间：2025/6/22 7:55:23
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SDV1005E220C500NPTF是一种基于硅技术的高压瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，设计用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压威胁。它具有低电容特性，适合高速数据线路和信号线路的保护需求。
该器件采用紧凑型封装形式，便于在高密度电路板中使用，同时提供卓越的钳位能力和鲁棒性以确保系统的可靠性。
型号：SDV1005E220C500NPTF
工作电压（VRWM）：22V
击穿电压（VBR）：24.6V
最大箝位电压（VC）：37.8V
峰值脉冲电流（IPP）：50A
电容（C）：5pF
响应时间：1ps
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DO-214AC
SDV1005E220C500NPTF具备以下显著特性：
1. 高速瞬态抑制能力，能够在纳秒级时间内对过压事件进行响应。
2. 极低的负载电容（5pF），对信号完整性的影响最小，非常适合高速数据通信接口。
3. 符合IEC 61000-4-2标准，支持高达±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）的ESD防护。
4. 能够承受反复的浪涌冲击而不影响性能，符合IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准。
5. 小型化设计，采用行业标准的DO-214AC封装，节省PCB空间。
6. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），适用于恶劣环境下的应用。
7. 符合RoHS规范，环保且无卤素材料。
该元器件广泛应用于各种需要高可靠性和高性能保护的场景，包括但不限于：
1. USB接口、HDMI、DisplayPort等高速数据线的ESD保护。
2. 工业控制设备中的信号线路保护。
3. 通信设备中的射频和数字信号线路保护。
4. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线和其他关键信号线路的保护。
5. 医疗设备、消费类电子产品和物联网（IoT）设备中的瞬态电压防护。
PESD5V0R1BAB, SMAJ22A, SMBJ22A
