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SDT5H100P5-7 发布时间 时间:2025/12/26 11:20:58 查看 阅读:50

SDT5H100P5-7是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL封装,属于高性能表面贴装器件,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及各类消费类电子设备中。该器件以其低正向压降、快速开关响应和高效率著称,特别适合在对能效要求较高的便携式设备和紧凑型电源系统中使用。其名称中的“SDT”代表肖特基二极管系列,“5H”通常指产品系列或电压等级,“100P”可能表示反向击穿电压为100V,“5-7”则可能是批次或封装标识的补充说明。该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-Free)特性,满足现代电子产品对环境友好材料的需求。由于其小型化封装和优良的热性能,SDT5H100P5-7能够在有限的空间内提供可靠的整流功能,是替代传统PN结二极管的理想选择之一。
  该二极管设计用于在高频开关电路中减少能量损耗,提升整体系统效率。其金属-半导体结结构相较于传统的PN结具有更低的开启电压,从而降低了导通状态下的功率消耗。此外,该器件具备良好的反向恢复特性,几乎无反向恢复电荷,因此在高频应用中不会产生显著的开关损耗,进一步提升了系统的稳定性和可靠性。制造商Diodes Incorporated在全球模拟与功率半导体领域具有较高声誉,其产品经过严格的质量控制和可靠性测试,确保在各种工作条件下均能保持一致的性能表现。

参数

类型:肖特基二极管
  极性:单路
  最大重复反向电压(VRRM):100V
  平均整流电流(IO):500mA
  峰值浪涌电流(IFSM):8A
  正向压降(VF):典型值850mV @ 500mA
  最大反向漏电流(IR):100μA @ 100V
  反向恢复时间(trr):≤30ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  封装/外壳:SOD-123FL
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  高度:约1.1mm
  热阻(RθJA):约350°C/W
  湿度敏感等级(MSL):1级(260°C,无限时间)

特性

SDT5H100P5-7的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,使得其在导通状态下表现出极低的正向压降,通常在500mA电流下仅为850mV左右,远低于传统硅PN结二极管的1.2V以上水平。这一特性直接减少了导通损耗,提高了电源转换效率,尤其适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对能耗极为敏感的应用场景。此外,由于其金属-半导体结的物理机制,该器件不具备少数载流子存储效应,因此几乎没有反向恢复电荷(Qrr),反向恢复时间(trr)被限制在30ns以内,极大地抑制了高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰(EMI),有助于简化滤波电路设计并提升系统稳定性。
  该器件的100V反向耐压能力使其不仅可用于低压DC-DC转换器中的续流或箝位保护,也可应用于适配器、充电器等中等电压场合。虽然其额定平均整流电流为500mA,但能够承受高达8A的瞬态浪涌电流,表明其具备较强的抗冲击能力,在启动或负载突变时仍能保持安全运行。SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装封装,尺寸约为2.1mm x 1.3mm x 1.1mm,占用PCB空间极小,非常适合高密度布局的现代电子产品。该封装还优化了散热路径,配合良好的PCB铜箔设计可有效传导热量,延长器件寿命。
  从可靠性角度看,SDT5H100P5-7通过了AEC-Q101认证(若适用),支持工业级及汽车级应用需求,具备优异的抗湿气性能和焊接耐久性。其无铅(Lead-Free)和符合RoHS指令的设计也确保其在全球市场的合规性。此外,该器件在制造过程中采用先进的晶圆级工艺控制,确保批次间参数一致性高,便于自动化贴片生产。总体而言,SDT5H100P5-7是一款集高效、小型化、高可靠性和环保于一体的先进肖特基二极管,适用于追求高性能与紧凑设计并重的现代电子系统。

应用

SDT5H100P5-7广泛应用于多种电源相关电路中,特别是在需要高效率和快速响应的场景下表现突出。常见应用包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,尤其是在反激式或降压型(Buck)转换器中作为次级侧整流元件使用,利用其低正向压降来提高整体转换效率。它也常用于DC-DC升压或降压模块中的续流二极管,防止电感电流突变导致电压反冲损坏主控芯片。在便携式电子设备如移动电源、蓝牙耳机、智能手表等产品中,该器件用于电池充放电管理电路中的防倒灌保护,确保电流单向流动,避免电池反向供电造成损耗或安全隐患。
  此外,SDT5H100P5-7还可用于AC-DC适配器中的辅助电源整流、待机电路供电路径以及电压箝位网络,限制瞬态过压对敏感IC的影响。在LED驱动电路中,它可以作为防止反向电压损害LED的保护元件。由于其快速响应特性,该二极管也被用于高频逆变器、同步整流替代方案(在非同步架构中)以及信号解调电路中。在汽车电子领域,如车载充电器、LED照明模块和车身控制模块中,该器件凭借其宽温工作范围和高可靠性,能够适应恶劣的工作环境。同时,由于其小型化封装,非常适合空间受限的模块化设计,例如MID(移动互联网设备)或物联网终端设备中的电源轨隔离与保护。总之,任何需要低损耗、快速开关和小型封装的整流或保护功能的场合,都是SDT5H100P5-7的理想应用场景。

替代型号

MBR0520

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SDT5H100P5-7参数

  • 现有数量0现货1,738,500Factory查看交期
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)1,500 : ¥1.39203卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)620 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳PowerDI? 5
  • 供应商器件封装PowerDI? 5
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C