时间：2025/5/29 20:41:33
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SDT5H100LP5-7 是一款基于硅技术的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供出色的开关性能和低导通电阻，广泛应用于工业、汽车和消费类电子领域。
该芯片主要设计用于处理高电压条件下的高效能功率转换，其封装形式为 TO-263-5（D2PAK-5），具有良好的散热特性和机械稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：29nC
开关时间：ton=28ns，toff=26ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-5（D2PAK-5）
SDT5H100LP5-7 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频功率转换应用。
3. 耐热增强型封装设计，具备卓越的散热性能。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应极端环境需求。
5. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），增强了可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
SDT5H100LP5-7 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC/DC 转换器模块。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 太阳能逆变器和光伏系统中的功率管理部分。
5. 汽车电子系统的负载开关与控制。
6. 工业自动化设备中的高电压切换模块。
SDM5H100LP5-7, SDR5H100LP5-7
