SDT26A15L05是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高效率电源转换场景。该器件采用增强型常闭结构设计,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适用于高频AC-DC或DC-DC转换器、适配器以及充电器等应用。其封装形式为紧凑型表面贴装,便于自动化生产和散热管理。
这款芯片的核心优势在于利用了GaN材料的宽禁带特性,从而在高频条件下表现出更低的损耗和更高的效率,同时支持更高的工作频率以减小磁性元件体积,进而优化整体系统设计。
额定电压:650V
额定电流:15A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:20ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
SDT26A15L05的主要特性包括以下几点:
1. 基于氮化镓技术,具备优异的高频性能和低开关损耗。
2. 额定电压高达650V,能够满足大部分高压应用场景的需求。
3. 极低的导通电阻(仅40mΩ),有效降低传导损耗。
4. 快速的开关速度,反向恢复时间仅为20ns,显著减少动态损耗。
5. 内置保护功能,提供更强的可靠性和安全性。
6. 小型化的封装设计,方便PCB布局并提升热性能。
7. 支持更高频率的操作,允许使用更小尺寸的变压器和其他磁性元件,进一步缩小电源系统的体积和重量。
SDT26A15L05主要应用于以下领域:
1. 高效AC-DC开关电源设计,例如笔记本电脑适配器、手机快充头等。
2. DC-DC转换器,用于服务器、通信设备及工业控制领域。
3. 太阳能微型逆变器中作为功率开关,实现高效的能量转换。
4. 电动汽车车载充电器和DC-DC变换器中的核心功率器件。
5. 其他需要高频、高效功率转换的场景,如无线充电设备和LED驱动电源。
SDT26A12L05, SDT26A18L05