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SDS60US09 发布时间 时间:2025/8/4 17:34:40 查看 阅读:10

SDS60US09 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件的一种。该器件设计用于高效率的功率转换应用,如DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动电路。SDS60US09采用了先进的沟槽式栅极技术和低导通电阻设计,能够在高电流负载下保持较低的导通损耗,提高系统效率。该器件通常采用DFN(Dual Flat No-leads)封装,具备良好的散热性能和小型化设计,适合高密度PCB布局。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  最大漏极电流(ID):60A
  最大漏-源电压(VDS):90V
  导通电阻(RDS(on)):约8.9mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):约26nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:DFN10

特性

SDS60US09的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗,提高整体效率。该器件的沟槽式栅极设计优化了载流子流动路径,从而减少了电阻并提高了导电性能。
  此外,SDS60US09具有较高的热稳定性和耐久性,能够在高温环境下可靠运行。其DFN封装不仅提供了良好的散热性能,还支持自动化贴装工艺,适用于高密度的PCB设计。这种封装形式还具有较低的寄生电感,有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至20V之间工作,使其适用于多种栅极驱动器电路。其快速的开关特性也使其在高频应用中表现出色,能够满足现代电源管理系统对高效率和高频操作的需求。
  在可靠性方面,SDS60US09具备较强的短路耐受能力和较高的耐用性,确保在异常工作条件下仍能保持器件的完整性。其设计符合汽车电子和工业应用中对高可靠性和长寿命的要求。

应用

SDS60US09广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高效率和高功率密度的设计中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统中的功率模块。
  在消费类电子产品中,SDS60US09可用于电源适配器、电源管理单元和高性能计算设备的电源转换模块。在工业自动化领域,该器件可用于驱动高功率负载,如伺服电机、继电器和执行器。此外,由于其出色的热稳定性和高电流处理能力,它也被广泛用于电动工具、无人机和机器人等新兴领域的电源系统中。
  在汽车应用中,SDS60US09适用于车载充电器(OBC)、48V轻混系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载娱乐系统的电源模块。其DFN封装和优异的热性能使其能够在汽车发动机舱等高温环境中稳定运行。

替代型号

TSDS60U8AFN,TSDS60U8AGN

SDS60US09参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SDS (60W)
  • 包装
  • 产品状态停产
  • 类型开放框架
  • 输出数1
  • 电压 - 输入90 ~ 264 VAC
  • 电压 - 输出 19V
  • 电压 - 输出 2-
  • 电压 - 输出 3-
  • 电压 - 输出 4-
  • 电压 - 输出 5-
  • 电压 - 输出 6-
  • 电流 - 输出 17 A
  • 电流 - 输出 2-
  • 电流 - 输出 3-
  • 电流 - 输出 4-
  • 电流 - 输出 5-
  • 电流 - 输出 6-
  • 功率 (W)60W
  • 应用ITE(商业)
  • 电压 - 隔离3 kV
  • 效率80%
  • 工作温度0°C ~ 70°C(有降额)
  • 特性可调输出,DC 输入能力,通用输入
  • 安装类型底座安装
  • 大小 / 尺寸5.00" 长 x 3.00" 宽 x 1.20" 高(127.0mm x 76.2mm x 30.5mm)
  • 认证机构-
  • 标准编号62368-1