类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.6A
　　导通电阻（RDS(ON)）：约26mΩ（在VGS = -4.5V时）
　　封装类型：TSON
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（PD）：2.0W
　　栅极电荷（Qg）：9.7nC

SDR621RZ具有多个优异的电气和热性能特性，适用于多种功率管理应用。首先，该MOSFET采用Rohm的先进沟槽工艺技术，实现了非常低的导通电阻（RDS(ON)），从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其次，其P沟道结构适用于高侧开关应用，如电池供电设备中的负载开关和电源切换，能够有效减少外部元件数量并简化设计。此外，SDR621RZ的TSON封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，而且具有良好的散热性能，确保在高负载条件下也能稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-4.5V至-8V之间的稳定工作，适用于多种控制器和驱动电路。同时，其工作温度范围宽广，可在极端环境下保持可靠性能，增强了器件的适用性。

SDR621RZ广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适合于需要高效功率控制的场合。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源管理电路，用于电池供电系统的高侧开关控制。此外，该器件也可用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种低电压高电流的功率管理系统。由于其优异的导通性能和热管理能力，SDR621RZ也常用于汽车电子系统、工业控制设备和通信设备中的电源模块设计。在需要低导通损耗和高效率的场合，该MOSFET能够有效提升系统性能并延长电池寿命。

Si2301DS、AO4407A、IRML2502TRPBF、FDMS86180