时间：2025/12/28 21:53:28
阅读：7
SDR2207-100ML 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等电子系统中。该 MOSFET 采用高性能的沟槽栅极结构，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及良好的热稳定性，能够在高温和高负载条件下稳定工作。SDR2207-100ML 的封装形式为 TSON（Thin Small Outline Non-leaded），是一种节省空间的表面贴装封装，适用于自动化装配流程。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSON（Thin Small Outline Non-leaded）
功率耗散（Pd）：3.3W
栅极电荷（Qg）：8.5nC（典型值）
输入电容（Ciss）：760pF（典型值）
SDR2207-100ML MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术，使其具备非常低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能。这不仅有助于降低功率损耗，提高系统效率，还能减少对散热器的需求，从而缩小整体电路尺寸。该器件在 Vgs=4.5V 时的 Rds(on) 典型值仅为 10.5mΩ，非常适合用于需要高效能和低电压操作的应用。
此外，SDR2207-100ML 具有良好的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的工作状态。其 TSON 封装设计不仅提供了优良的热管理和散热性能，还支持高密度 PCB 布局。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于提高开关速度并降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
在可靠性方面，SDR2207-100ML 符合 AEC-Q101 汽车级认证标准，适用于汽车电子系统的严苛要求。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境下的稳定运行。同时，该器件具有良好的抗静电能力和过温保护特性，能够在多种复杂工况下提供稳定可靠的性能。
SDR2207-100ML MOSFET 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及马达控制电路中。由于其低导通电阻和高效率的特性，它在高功率密度和高开关频率的应用中表现出色。在汽车电子领域，该器件常用于车载电源管理模块、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等场景。此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、消费类电子产品和便携式电子设备中的电源管理需求。其 TSON 封装形式特别适合空间受限的设计，能够满足现代电子产品对小型化和轻量化的要求。
SiR142DP-T1-GE3, BSC010N03MSAG, FDS6675CZ, AO4406A
