产品类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60 V
　　连续漏极电流（Id）：90 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：360 A
　　导通电阻Rds(on)：1.3 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：1.7 mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）：70 nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：4500 pF @ Vds=30V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L

SDP2600Q38CB采用Vishay先进的TrenchFET? 技术，这种技术通过在硅衬底上构建深槽结构来显著提升单位面积内的载流子迁移率，从而实现极低的导通电阻（Rds(on)）。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为1.3mΩ，在同类产品中表现出色，有助于降低导通损耗并提高电源系统的整体效率。其优异的热性能得益于PowerPAK SO-8L封装设计，该封装去除了传统引线框架中的铜夹连接限制，提升了散热路径效率，使得器件即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg=70nC），这直接减少了驱动电路所需的能量，并加快了开关速度，从而有效降低开关损耗。这对于高频开关电源应用尤为重要，如同步整流DC-DC转换器或电动工具中的电机控制电路。同时，较低的输出电容（Coss）进一步减小了关断过程中的能量损耗，提高了转换效率。
　　SDP2600Q38CB符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，意味着它经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击和湿度敏感性测试，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。这一特性使其非常适合应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载充电机（OBC）、电动助力转向（EPS）和电池管理系统（BMS）等关键部位。
　　此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）支持极端环境下的持续运行，增强了系统的鲁棒性。综合来看，SDP2600Q38CB凭借其高性能参数、可靠性和紧凑封装，成为现代高密度电源设计的理想选择之一。

SDP2600Q38CB广泛应用于需要高效能功率开关的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）系统以及车载充电机（OBC）中，作为主开关或同步整流元件，以实现高效的能量转换和稳定的电源供给。其AEC-Q101认证确保了在车辆运行过程中面对振动、高温和电气噪声等复杂环境时的长期可靠性。
　　在工业控制方面，该器件适用于电机驱动器、伺服控制系统和工业电源模块，特别是在需要大电流输出和快速响应的应用场景中表现优异。其低导通电阻和高电流承载能力能够有效减少发热，提高系统效率。
　　在消费类电子产品中，SDP2600Q38CB可用于高性能笔记本电脑、游戏主机和高端显示器的主板电源管理单元，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中作为下管或上管使用。此外，它也适用于大功率LED照明驱动电路，提供稳定的恒流输出。
　　在通信基础设施中，该MOSFET可用于基站电源、服务器电源和网络交换机的POL（Point-of-Load）转换器中，满足对高功率密度和高效率的需求。其快速开关特性有助于提升电源响应速度，适应动态负载变化。

[
　　 "SUD60E3_06",
　　 "IRF6620PBF",
　　 "IPB036N06N",
　　 "LMG5200RGER"
　　]