型号：SDP1800Q38CB
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：180V
　　连续漏极电流(ID)：80A
　　脉冲漏极电流(IDM)：320A
　　导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ @ VGS=10V, ID=40A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=40A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：10500pF @ VDS=90V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=90V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　最大功耗(PD)：250W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：DFN5x6 或等效贴片封装

SDP1800Q38CB的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为3.8mΩ（在VGS=10V条件下）。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景，如高效率同步降压转换器和电动工具电源模块。低RDS(on)意味着更小的发热和更高的能量利用率，有助于简化散热设计并提高系统的整体可靠性。
　　该器件采用先进的沟槽栅极工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。同时，其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为70nC（@VGS=10V），这使得器件能够在高频开关条件下运行而不会产生过高的驱动损耗，非常适合用于高频DC-DC变换器和服务器电源等对效率要求极高的场合。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于DFN5x6封装内置的散热焊盘设计，SDP1800Q38CB能够通过PCB高效地将热量传导出去，有效控制结温上升。其最大允许结温高达+175°C，并具有良好的热循环耐受性，可在高温工业环境或密闭设备中长期稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和鲁棒的体二极管性能，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力。其反向恢复时间较短（trr≈28ns），有助于减少交叉导通期间的能量损耗，避免因体二极管拖尾电流引起的效率下降问题。
　　器件还具备良好的栅极氧化层可靠性，经过严格的HTRB（高温反向偏压）测试验证，确保在长期使用中的稳定性和寿命。整体来看，SDP1800Q38CB是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的功率MOSFET解决方案，广泛适用于现代电力电子系统的设计需求。

SDP1800Q38CB主要应用于需要高效能、高电流密度和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用场景包括各类DC-DC降压与升压转换器，尤其是在服务器电源、通信基站电源、嵌入式电源模块等领域，作为主开关管或同步整流管使用。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件可显著提升电源转换效率，减少能量损耗，并降低散热成本。
　　在电动汽车及混合动力汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中，SDP1800Q38CB因其符合汽车级可靠性标准（如AEC-Q101）而被广泛采用。其宽工作温度范围和强健的封装结构使其能够在剧烈温度变化和振动环境下稳定运行，满足车规级应用的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动系统，如伺服驱动器、变频器和电动工具控制器。在这些应用中，MOSFET需频繁承受高电流冲击和快速开关动作，SDP1800Q38CB凭借其高脉冲电流能力（IDM达320A）和低开关损耗表现出色，有助于提升驱动系统的响应速度和能效表现。
　　在太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用于直流侧功率转换环节，实现高效的能量传输与管理。其良好的热稳定性和抗雪崩能力增强了系统在异常工况下的鲁棒性，提高了整体安全性。
　　最后，在消费类高端电源产品，如大功率适配器、游戏主机电源和LED驱动电源中，SDP1800Q38CB的小型化封装和高功率密度特性使其成为理想选择，有助于实现轻薄化设计的同时不牺牲输出性能。

SPM1800Q38CA
　　IRFP1800Q
　　IPB180N10N3 G
　　FDD1800N10A