类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：100A
　　最大漏源电压 (Vds)：200V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值为4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功耗 (Pd)：200W
　　输入电容 (Ciss)：约2900pF

SDP137HVMMD 具有多个显著的技术特性，使其在高压功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（R电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的最大漏源电压（Vds）达到200V，适用于多种高压应用场景，如DC-DC转换器和逆变器设计。
　　其次，该MOSFET采用了先进的硅技术，具有良好的热稳定性和高温下的可靠性。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能，能够在高功率密度环境下长时间运行而不会出现过热失效的问题。
　　再者，SDP137HVMMD 的栅极驱动电压范围宽广，支持从+10V至+20V的栅源电压操作，允许用户根据具体应用需求优化导通性能与开关损耗之间的平衡。同时，它的输入电容较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升开关速度。
　　最后，该器件的工作温度范围从-55°C到+175°C，适用于极端环境条件下的应用，如汽车电子、航空航天和工业控制系统。

SDP137HVMMD 主要应用于以下领域：
　　- 电源管理系统：如AC-DC电源适配器、服务器电源、UPS不间断电源等，利用其高耐压和低导通电阻的优势提高转换效率。
　　- 电机控制：适用于直流电机驱动器、电动工具和机器人控制系统，提供快速响应和高效的功率控制。
　　- LED照明：用于恒流驱动电路，特别是在高亮度LED路灯和工业照明设备中，确保稳定的光输出和长寿命。
　　- 工业自动化：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代方案和高频逆变器，满足高可靠性和高效率的需求。
　　- 新能源系统：包括太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块，在恶劣环境中依然保持优异性能。

建议的替代型号包括：IRFP260N、FDPF260N、STP100N8F2AG、SiHF260T