SDP137ATMD是一款由半导体制造商推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能,使其在各种电源管理系统中表现出色。SDP137ATMD通常采用TMD(Thermal Molded Drain)封装技术,这种封装形式有助于提高散热效率并增强机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A @ 100°C
功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
SDP137ATMD的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件的设计优化了导通和开关损耗之间的平衡,从而在高频开关应用中表现良好。此外,SDP137ATMD具备良好的热管理能力,其TMD封装能够有效传导和分散热量,防止因过热而导致的性能下降或器件损坏。
另一个重要特性是其高耐用性和可靠性。该MOSFET经过严格测试,能够在极端环境条件下保持稳定运行。它的栅极氧化层设计提供了较高的抗静电能力,并且对瞬态电压和电流变化具有较强的承受能力。这些特点使得SDP137ATMD在工业设备、汽车电子和消费类电子产品中都能可靠地运行。
SDP137ATMD广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):由于其高效能和高频率操作能力,它被广泛用于AC/DC和DC/DC转换器中。
2. 电机驱动器:该器件可作为H桥电路的一部分,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 汽车电子:在车载充电系统、电池管理系统以及LED照明驱动电路中,SDP137ATMD展现出卓越的性能。
4. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等需要高可靠性和高效率的工业控制系统。
5. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统的功率转换部分,以提高能源利用效率。
SiHH18N100D-E3, IPW90R120P7S, FDPF18N100AS