时间：2025/6/27 16:12:06
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SDP117UMD 是一款由 Diodes Incorporated 推出的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，提供较低性能，适合在空间受限的设计中使用。SDP117UMD 具有高可靠性，并支持多种保护功能，例如过流和过温保护，因此非常适合用于电池供电设备、DC-DC 转换器以及各类便携式电子产品中。
该MOSFET封装为 UMD（DFN2020-6），是一种小型无引脚表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提高散热效率。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：-20V
栅源电压 VGS：±8V
连续漏极电流 ID（最大值）：-4.5A
导通电阻 RDS(on)：35mΩ @ VGS = -4.5V；45mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散 PD：1.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：UMD (DFN2020-6)
SDP117UMD 的核心特性包括其低导通电阻（RDS(on)），这使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于对热管理要求较高的设计场景。
此外，SDP117UMD 使用了高级沟槽 MOS 技术，确保了器件在高频开关操作中的稳定性和快速响应能力。其小型 DFN 封装不仅占用 PCB 面积小，还能有效提高热传导效率，使器件在持续负载下依然保持良好性能。
内置的过流保护和过温保护机制进一步增强了系统的安全性和稳定性，尤其适用于需要长时间工作的便携式设备和工业控制系统。
SDP117UMD 主要应用于以下领域：
1. 便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中的负载开关或电源管理模块。
2. DC-DC 转换器和同步整流器电路，以提高能量转换效率。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制部分。
4. 各类需要高效能、低功耗的电源切换应用场景。
5. 工业自动化设备和传感器节点的电源管理方案2302DS, AO4407A, FDN340P
