时间：2025/6/27 16:08:43
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SDP117NMD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关应用。这款器件采用先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机控制等场景。SDP117NMD 通常封装在 TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，便于散热和高效安装。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：117A
导通电阻（RDS(on)）：约 3.2mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：约 2V~4V
最大功耗（PD）：约 200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SDP117NMD 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电流传导能力，并通过减少寄生电容来提升高频开关性能。此外，它的热阻较低，能够在高负载条件下保持良好的热稳定性。
SDP117NMD 还具备较强的抗过载能力和短路保护特性，使其在恶劣工作环境中仍能稳定运行。该 MOSFET 支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频 PWM 控制电路。其封装形式提供了良好的散热路径，确保长时间工作时的可靠性。
此外，SDP117NMD 具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压尖峰，增强了系统的安全性和耐用性。由于其高性能特性和紧凑的设计，该器件广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备及高效能电源转换系统中。
SDP117NMD 主要应用于需要高电流处理能力和低导通损耗的功率转换系统。典型应用包括同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统、电动工具控制器、服务器电源供应单元、马达驱动器、光伏逆变器以及各类高效率开关电源（SMPS）。此外，它也常用于电动车充电模块、不间断电源（UPS）、储能系统等新能源领域。
STP117N10F7-RL | IRF117N10D | FDP117N10A
