类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：-20V
　　最大栅源电压 Vgs：±12V
　　最大连续漏极电流 Id：-4.5A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 68mΩ @ Vgs = -4.5V，最大 80mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功耗 PD：2.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSOP

SDP117HVUMD 具备多项显著的技术特点。首先，其低导通电阻可显著减少功率损耗，提高系统的整体效率，特别适合于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。其次，该器件在低栅极驱动电压（如 2.5V 或 4.5V）下仍能实现良好的导通性能，使其能够与低压微控制器或其他逻辑电路直接配合使用，而无需额外的栅极驱动器。
　　此外，SDP117HVUMD 的热阻较低，确保了其在较高环境温度下的可靠运行，同时有助于散热设计的简化。TSSOP 封装形式不仅节省空间，还提供了良好的电气连接和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和产品的可靠性。
　　该器件还具备优良的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流条件而不损坏，从而增强了系统在异常情况下的稳健性。这种特性对于工业控制、汽车电子和便携式电子产品等应用场景尤为重要。

SDP117HVUMD 主要应用于需要高效能、小尺寸功率管理解决方案的领域。例如，在移动通信设备中作为电源开关，用于控制不同功能模块的电源供应；在 DC-DC 转换器中用作同步整流器以提升转换效率；以及在各种负载开关电路中用于隔离负载并防止电流倒灌。
　　此外，该器件还可广泛用于电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED 驱动器以及各种工业自动化控制系统中。由于其出色的电气特性和高可靠性，SDP117HVUMD 在消费类电子产品、医疗设备及汽车电子系统中也得到了广泛应用。

Si2301DS-T1-E3
　　AO4403
　　FDC6303