时间：2025/6/29 15:43:20
阅读：1
SDP117AUMD 是一款由 Vishay 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和负载开关应用。这款器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适合用于需要高效能和小尺寸封装的电路设计中。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：-20V
最大栅源电压 (VGS)：±12V
最大连续漏极电流 (ID)：-4.3A
导通电阻 (RDS(on))：58mΩ @ VGS = -4.5V, 100mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
SDP117AUMD 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗并提高效率。该器件支持较高的连续漏极电流，在小型封装下仍可实现良好的性能表现。
此外，SDP117AUMD 还具备快速开关能力和优异的热稳定性，适合高频应用环境。由于采用了 TSOP 封装技术，该器件不仅体积小巧，而且易于安装在空间受限的设计中。
其宽泛的工作温度范围 (-55°C ~ 150°C) 确保了 SDP117AUMD 能够在严苛的工业或汽车环境中稳定运行。这种 MOSFET 还具有较强的抗干扰能力，适用于各种电源管理场景，如电池供电设备、DC-DC 转换器和电机控制模块。
SDP117AUMD 主要应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及嵌入式控制系统等。其卓越的性能使其成为消费电子和工业自动化领域的重要元件。
Si2302DS, AO4403, FDN340P
