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SDP10G65C 发布时间 时间:2025/5/7 13:30:41 查看 阅读:13

SDP10G65C 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺,专为高频、高效能开关应用设计。该器件具有低导通电阻和快速开关性能,能够显著减少传导损耗和开关损耗,适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
  SDP10G65C 的主要特点是其优化的栅极电荷设计,这使得它在高频工作条件下表现出色,同时保持较低的热耗散。此外,该器件还具备良好的雪崩能力和抗静电能力,能够在恶劣环境下稳定运行。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.4Ω
  总栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1800pF
  输出电容(Coss):75pF
  反向恢复时间(trr):80ns
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃

特性

SDP10G65C 具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 650V,适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻:Rds(on) 仅为 0.4Ω,可有效降低传导损耗。
  3. 快速开关性能:总栅极电荷低至 35nC,确保高频应用中的低开关损耗。
  4. 稳定性强:具备良好的雪崩能量吸收能力,能够在短路或异常情况下提供保护。
  5. 抗静电能力强:符合人体模型 (HBM) ≥ 2kV 的抗静电标准。
  6. 小型化封装:通常采用 DPAK 或 TO-220 封装形式,方便集成到紧凑型设计中。

应用

SDP10G65C 广泛应用于各种电力电子领域:
  1. 开关电源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动:用于控制和驱动各种类型的电机。
  3. LED 驱动器:为高亮度 LED 提供高效供电方案。
  4. 太阳能逆变器:在光伏系统中实现高效的直流到交流转换。
  5. 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电控制和保护。
  6. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等。

替代型号

IRFP250N, STP10NK65Z

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