时间：2025/12/28 10:52:40
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SDNT2012X503F4150HTF 是一款由Susumu公司生产的高精度、小型化薄膜片式电阻器，属于其先进的超小型精密电阻产品线。该器件采用先进的薄膜制造工艺，在陶瓷基板上沉积一层均匀的金属膜，并通过激光微调技术精确控制阻值，确保极高的阻值精度和稳定性。该型号的封装尺寸为2012（公制代码），即2.0mm × 1.25mm，适用于对空间要求极为严格的高密度表面贴装应用。其标称阻值为50.3kΩ，容差为±1%，温度系数低至±25ppm/°C，表现出优异的温度稳定性和长期可靠性。该电阻器特别适合在需要高精度信号调理、电压分压、反馈回路和精密测量的应用中使用，例如工业自动化设备、医疗电子、测试与测量仪器以及高端通信系统。其结构设计具有良好的耐湿性和抗老化能力，能够在宽温度范围（通常为-55°C至+155°C）内稳定工作，同时具备出色的脉冲负载能力和抗硫化特性，尤其适用于恶劣环境或对可靠性要求极高的应用场景。此外，该器件符合RoHS指令，无铅且环保，适用于现代绿色电子制造流程。
型号：SDNT2012X503F4150HTF
制造商：Susumu
封装尺寸：2012 (2.0mm x 1.25mm)
阻值：50.3kΩ
容差：±1%
温度系数：±25ppm/°C
额定功率：100mW (降额使用条件下可更高)
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
最大工作电压：200V
耐压：500V
抗硫化性能：符合ASTM B809标准
端电极材料：Ni/Cu/Sn，适用于回流焊工艺
符合标准：AEC-Q200（部分等级）、RoHS、REACH
SDNT2012X503F4150HTF 采用先进的薄膜沉积技术，通过在高纯度陶瓷基板上溅射镍铬（NiCr）或其他合金薄膜，形成高度均匀的电阻层。这种制造工艺确保了电阻值的高度一致性和长期稳定性，避免了传统厚膜电阻中常见的颗粒不均和老化漂移问题。其激光修调技术可在生产过程中实现微米级的阻值微调，使最终产品的阻值精度达到±1%，满足高精度电路的需求。该器件的温度系数低至±25ppm/°C，意味着在温度变化时阻值波动极小，适用于需要在宽温环境下保持信号准确性的场合，如精密放大器、ADC/DAC参考分压网络等。
该电阻器具备出色的长期稳定性，经过高温负载寿命测试（如1000小时，额定功率，70°C）后阻值变化小于±0.5%，表明其在长时间运行中能保持性能一致性。其抗硫化设计使其在含硫环境中（如工业区或汽车引擎舱）仍能保持可靠连接，防止因电极硫化导致的开路失效。此外，该器件具有良好的耐湿性，符合IEC 60068-2-60测试标准，适用于高湿度环境下的应用。
SDNT2012X503F4150HTF 的小型化2012封装不仅节省PCB空间，还优化了高频性能，减少寄生电感和电容，适合用于高速信号路径中的终端匹配或反馈网络。其端电极为三层层叠结构（Ni/Cu/Sn），确保良好的可焊性和焊接可靠性，兼容标准SMT回流焊工艺。整体设计符合AEC-Q200车规可靠性标准的部分要求，可用于汽车电子中的传感器接口、电池管理系统等关键部位。
该器件广泛应用于对精度、稳定性和可靠性要求极高的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数据采集系统和精密传感器信号调理电路中，作为分压器或反馈电阻，确保模拟信号的高保真传输。在医疗电子设备中，如心电图机、血糖仪和便携式监护仪，该电阻用于前端放大器和模数转换器的偏置与增益设置，保障测量结果的准确性。
在测试与测量仪器中，如数字万用表、示波器和信号发生器，该电阻用于内部基准电压分压网络和校准电路，提供稳定的参考点。在通信系统中，可用于光模块、射频前端和电源管理单元中的精密反馈回路，提升系统整体性能。
此外，由于其抗硫化和宽温特性，该器件也适用于汽车电子应用，如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的传感器接口电路。在航空航天和国防领域，其高可靠性使其可用于飞行控制系统和导航设备中的精密模拟电路。
SR732ETCR503F
