时间：2025/9/19 15:43:13
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SDNT2012X202F3950FTF 是一款由 Susumu 公司生产的高精度、小型化薄膜片式电阻器阵列，广泛应用于对空间布局和电气性能要求严苛的精密电子设备中。该器件属于 SDNT 系列，采用先进的薄膜沉积工艺制造，具备优异的温度稳定性、长期可靠性和出色的匹配性能。SDNT2012X202F3950FTF 封装尺寸为 2012（公制代码 5032），集成两个独立的薄膜电阻元件，每个电阻的标称阻值为 3.95 kΩ，精度高达 ±1%。该器件特别适用于需要高密度集成和精密信号处理的应用场景，如医疗仪器、测试测量设备、精密放大器电路以及高端通信系统等。
该型号中的‘X202’表示内部包含两个阻值相同的电阻（2个 3.95kΩ），‘F’代表 ±1% 的阻值公差，而‘T’表示标准的端电极材料配置，通常为镍/锡镀层，确保良好的可焊性和长期可靠性。由于采用薄膜工艺，该电阻阵列具有极低的噪声、优良的高频响应特性以及较小的寄生电感和电容，适合在模拟前端和高速信号链路中使用。此外，其紧凑的封装设计有助于节省 PCB 面积，在高集成度的便携式电子产品中具有显著优势。
型号：SDNT2012X202F3950FTF
制造商：Susumu
封装尺寸：2012 (5032)
电阻数量：2
标称阻值：3.95 kΩ
阻值公差：±1%
额定功率（总）：100 mW
单个电阻功率：50 mW
温度系数：±25 ppm/°C
工作温度范围：-55°C ~ +155°C
存储温度范围：-55°C ~ +155°C
绝缘电阻：≥100 MΩ 或 500 Vdc 下最小 100 MΩ
耐压：50 V（最大）
结构类型：薄膜片式电阻阵列
SDNT2012X2012X202F3950FTF 采用先进的薄膜光刻工艺制造，确保了电阻元件之间高度一致的电气特性，特别是在匹配性方面表现出色。两个电阻之间的跟踪温度系数（TCR tracking）优于 ±5 ppm/°C，这意味着在温度变化过程中，两个电阻的阻值漂移保持高度同步，极大提升了差分电路、仪表放大器或电阻分压网络中的精度表现。这种优异的匹配性能使其成为高精度模拟信号调理应用的理想选择。
该器件的基板采用高热导率陶瓷材料，能够有效散发工作时产生的热量，提高长期稳定性并降低热电动势效应。薄膜电阻层通过真空溅射技术沉积，并经过激光修调实现精确阻值控制，确保出厂时即满足 ±1% 的严格公差要求。相比厚膜工艺，薄膜技术具有更低的噪声水平（典型值小于 -30 dB），这对于低电平信号放大和音频处理电路尤为重要。
SDNT2012X202F3950FTF 还具备出色的长期稳定性，年老化率低于 0.5%，即使在高温高湿环境下也能维持稳定的电气性能。其端电极采用多层金属化结构（如 Ta/NiSn），提供优异的抗腐蚀能力和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。器件符合 RoHS 指令要求，并通过 AEC-Q200 认证的部分测试项目，适用于工业级和汽车电子应用。
此外，该电阻阵列具有极低的寄生参数，包括分布电感和杂散电容，因此在高频信号路径中能保持平坦的阻抗特性，减少相位失真和信号反射。其紧凑的 5032 封装形式便于自动化贴片生产，适用于高密度 SMT 工艺，在现代微型化电子产品中具有广泛应用前景。
该器件广泛应用于需要高精度、小体积和良好温度稳定性的电子系统中。典型应用场景包括精密仪器仪表中的桥式传感器信号调理电路、医疗设备中的生物电信号采集前端、高分辨率数据采集系统的输入缓冲与增益设置网络。在通信领域，可用于高速 ADC/DAC 周边的参考电压分压器或终端匹配网络，确保信号完整性。
在工业控制和自动化系统中，SDNT2012X202F3950FTF 可用于构建高稳定性反馈回路，提升闭环控制精度。其双电阻结构特别适合差分放大器配置，如仪表放大器的增益设定电阻对，能够有效抑制共模干扰并提高共模抑制比（CMRR）。此外，在电源管理模块中，也可作为精密电压检测分压器使用，尤其是在电池管理系统（BMS）或多通道电源监控单元中。
由于其良好的高频特性和低噪声性能，该器件也适用于射频（RF）前端模块中的偏置网络或衰减电路。在高端音频设备中，可用于音量控制后的直流偏置设定或滤波网络，避免因电阻失配导致的立体声通道不平衡问题。总之，任何对电阻匹配性、温度稳定性和长期可靠性有较高要求的设计均可考虑采用此型号。
SR732ETE3950FT
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"https://www.susumu.co.jp/products/detail/SDNT2012X202F3950FTF"
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