型号：SDM10U45LP-7
　　类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-1A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-2.8A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-45V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：-185mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：-230mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值6.5nC
　　输入电容（Ciss）：典型值390pF
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6 或 SOT-363-6
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道

SDM10U45LP-7采用先进的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的乘积（RDS(on) × Qg），这一关键指标直接决定了MOSFET在开关电源应用中的综合性能。低RDS(on)意味着在相同电流下产生的I2R损耗更低，有助于提升能效并减少散热需求；而较低的栅极电荷则意味着驱动电路所需的能量更少，尤其在高频开关操作中优势明显。这种优化平衡使得该器件在负载开关、DC-DC转换器同步整流以及电池供电系统中表现出色。
　　该器件具有出色的热稳定性，能够在高达+150°C的结温下持续工作，适用于工业级和汽车级严苛环境下的应用。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接使用逻辑电平控制，无需额外的电荷泵电路，从而简化了电源管理系统的设计复杂度。例如，在电池充放电管理中，当主电源断开时，MOSFET可以快速切断后级负载以防止倒灌电流，实现高效的电源隔离功能。
　　此外，SDM10U45LP-7具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。其小型化封装不仅节省PCB面积，还通过优化内部引线布局降低了寄生电感，提升了高频响应性能。对于需要紧凑布局和高效热传导的设计，建议在PCB上设置足够的铜箔区域用于散热，以充分发挥其电流承载能力。
　　该MOSFET支持快速开关操作，具有较短的上升和下降时间，减少了开关过渡期间的能量损耗。同时，其栅源电压最大额定值通常为±12V至±20V，设计人员需注意避免超过此范围，以防栅氧化层击穿。推荐在栅极串联一个小阻值电阻（如10Ω~100Ω）以抑制振铃现象，并配合一个下拉电阻确保关断状态下的稳定性。总体而言，SDM10U45LP-7是一款集高性能、小体积与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，广泛应用于现代便携式电子产品的电源架构中。

SDM10U45LP-7主要应用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，包括智能手机、平板电脑、智能手表、蓝牙耳机等产品中的电池电源开关控制。在这些系统中，它常被用作高端开关来控制主电源的通断，实现低功耗待机模式或系统休眠时的电源隔离，有效延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换电路中，特别是降压（Buck）变换器的同步整流拓扑中，该器件可作为上管使用，利用其低导通电阻特性减少导通损耗，提高转换效率。虽然N沟道MOSFET在此类应用中更为常见，但在某些低功率或空间受限的设计中，P沟道方案因无需自举电路而更具优势。
　　此外，该MOSFET也适用于过压/过流保护电路、热插拔控制器、LED背光驱动开关以及各类负载开关应用。例如，在USB接口电源管理中，可用于控制外设供电的开启与关闭，防止短路或过载损坏主控芯片。其快速响应能力和可靠关断特性使其成为理想的选择。
　　在工业控制和通信设备中，SDM10U45LP-7可用于板级电源排序、多轨电源切换以及冗余电源选择等场合。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可部署于环境条件较为恶劣的嵌入式系统中。

DMG2305UX-7
　　Si2301DS-S16-7
　　FDMC86281
　　RT1N06HWS-G00