SDM10U45 时间：2025/12/26 11:18:49 阅读：19

SDM10U45是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装SMA（DO-214AC）封装。该器件专为高效率、低电压应用设计，具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复特性，适用于多种电源管理与信号整流场景。其最大重复反向电压为45V，额定平均整流电流可达1.0A，适合在紧凑型电子设备中实现高效的能量转换。该二极管广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、续流与极性保护电路等场合。由于其无反向恢复电荷（Qrr接近于零）的特点，SDM10U45在高频工作条件下表现出色，能够显著降低开关损耗并提升系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应严苛的工业与消费类电子环境。
　　SDM10U45的封装形式便于自动化贴片生产，适合大规模PCB组装工艺。其引脚配置简单，仅包含阳极和阴极两个端子，安装方向需根据PCB丝印正确对齐以确保功能正常。作为一种高性能的肖特基二极管，它在替代传统快恢复二极管方面具有明显优势，尤其适用于需要高效能与小尺寸兼顾的设计方案。

参数

类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：0.52V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 45V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/包装：SMA (DO-214AC)
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约 150°C/W

特性

SDM10U45的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体结技术使得该二极管在正向导通时具有非常低的电压降，通常在1A电流下仅为0.52V左右，远低于传统PN结二极管的0.7V~1.2V水平。这一特性直接降低了导通损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其在低输出电压、大电流的应用如5V或3.3V DC-DC转换器中表现突出。同时，由于其载流子传输机制不依赖少子注入，因此不存在少数载流子存储效应，导致反向恢复时间极短（典型值小于5ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这意味着在高频开关操作中不会产生显著的开关尖峰或电磁干扰（EMI），有助于提升系统稳定性并简化滤波设计。
　　另一个关键优势在于其优异的热性能与可靠性。器件封装采用符合工业标准的SMA（DO-214AC）小型化表面贴装形式，具有良好的散热能力与机械强度，能够在持续负载条件下有效散发热量。尽管其热阻RθJA约为150°C/W，在无额外散热措施的情况下仍可支持1A连续电流运行。此外，该器件具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，能够在瞬态过流事件（如电源启动冲击）中保持安全运行。所有电气参数均在严格控制的制造流程下保证一致性，且通过AEC-Q101等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等对长期稳定性要求较高的领域。最后，该产品符合绿色环保指令（RoHS），不含铅和有害物质，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品环保合规需求。

应用

SDM10U45广泛用于各类需要高效整流与低功耗特性的电子系统中。常见应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）及同步整流架构中作为输出整流二极管使用，利用其低VF特性减少功率损耗并提高能效。在DC-DC降压或升压转换器中，它常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或箝位二极管（Clamp Diode），以提供电感电流回路并在关断期间释放储能，防止电压反冲损坏主控芯片。此外，在电池充电管理电路、USB供电模块以及便携式设备电源路径控制中，该二极管可用于防止反向电流流动，实现电源隔离与极性保护功能。
　　在逆变器与UPS不间断电源系统中，SDM10U45也可承担高频整流任务，因其快速响应能力可适应几十kHz乃至上百kHz的工作频率。工业控制板、通信设备、LED驱动电源等领域也普遍采用此类肖特基二极管来优化电源效率。得益于其小型SMA封装，该器件特别适合空间受限的高密度PCB布局，例如智能手机适配器、物联网终端、智能家居控制器等消费类电子产品。此外，由于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），该器件也能胜任车载电子、户外监控设备等极端环境下的可靠运行需求。