时间：2025/9/3 19:24:14
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SDM10G60FB 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟道技术，提供了卓越的导通性能和热稳定性。SDM10G60FB 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：10A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.75Ω
栅极电压（VGS）：±20V
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 150°C
功耗（PD）：100W
SDM10G60FB 具有优异的导通性能和低导通损耗，适合用于高效率的电源转换器。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作。此外，该器件具有良好的热管理能力，能够在高温条件下保持稳定运行。SDM10G60FB 还具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统效率。其封装形式 TO-220 提供了良好的散热性能，便于安装在标准的散热片上。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的驱动电路进行控制。同时，SDM10G60FB 具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定。该器件的可靠性高，适用于各种工业和消费类应用。
SDM10G60FB 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、照明系统、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备等高功率电子系统中。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。
STD10NK60Z, STF10NM60ND, FQA10N60C
