类型：双共阴极肖特基二极管
　　峰值重复反向电压（VRRM）：54V
　　直流反向电压（VR）：54V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.48V（在1A条件下）
　　最大正向压降（VF）：0.58V（在1A、25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大20μA（在54V、25°C条件下）
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装

SDIA0540NT101的核心特性之一是其低正向导通压降，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提升了电源转换效率。在1A的正向电流下，其典型正向压降仅为0.48V，最大值也不超过0.58V，这一性能优于传统PN结二极管，尤其适用于低压大电流输出的DC-DC变换器中作为整流元件。低VF不仅减少了热量产生，还允许更高的电流密度，从而支持更紧凑的设计。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr ≤ 5ns），这意味着在高频开关操作中几乎不会出现反向恢复电荷引起的尖峰电流或电磁干扰问题。这对于现代开关电源、同步整流辅助电路以及高频逆变器尤为重要。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，从根本上消除了反向恢复延迟，使器件能够适应MHz级的开关频率。
　　该器件采用双共阴极结构，即两个独立的阳极共享一个公共阴极，这种配置非常适合用于半桥拓扑中的续流路径或双路同步整流辅助电路。它可以在同一封装内实现两个通道的集成化，节省PCB空间并简化布线复杂度。同时，SMA封装提供了良好的散热能力，在适当的PCB铜箔设计下可有效传导热量，延长器件寿命。
　　SDIA0540NT101具备出色的热稳定性与环境适应性，可在-65°C至+125°C的工作结温范围内稳定运行，适用于严苛的工业环境。其反向漏电流在常温下不超过20μA，虽然随着温度升高会有所增加，但仍处于可控范围内。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其具备汽车级可靠性潜力，可用于车载电源系统。
　　从制造工艺上看，该器件采用成熟的平面扩散技术和银浆烧结工艺，确保芯片与引线框架之间的连接牢固且导电性能优异。外封装材料为黑色模塑塑料，具备良好的耐湿性和抗紫外线能力，适合回流焊工艺，兼容无铅焊接流程。整体设计兼顾了高性能、小型化与高可靠性，使其成为多种电源拓扑结构中的优选方案。

SDIA0540NT101广泛应用于各类高频开关电源系统中，尤其是在DC-DC转换器中作为续流二极管或自举二极管使用。在降压（Buck）、升压（Boost）及反激式（Flyback）拓扑中，该器件因其低正向压降和快速响应能力，能够有效减少能量损耗并提升转换效率。特别在轻负载或中等负载条件下，其节能优势更为明显。
　　在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中，该二极管常用于电池充电路径的隔离与极性保护，防止反向电流导致的损坏。其小尺寸SMA封装非常适合高密度PCB布局需求，有助于实现设备的小型化与轻薄化设计。
　　在LED照明驱动电路中，SDIA0540NT101可用于提供续流路径，确保电流连续性并抑制电压尖峰。在交流适配器、USB充电器和小型开关电源适配器中，该器件也常被用作次级侧整流元件，替代传统快恢复二极管以获得更高效率。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路中的箝位保护，吸收感性负载断开时产生的反电动势，防止高压击穿控制芯片。在光伏逆变器、UPS不间断电源和工业控制系统中，也可作为防倒灌二极管或冗余电源切换元件使用。
　　由于其双共阴极结构，该器件还能用于双通道同步整流控制器的辅助二极管，提供启动阶段的电流路径，直到MOSFET完全导通为止。在通信基站电源、网络交换机和服务器电源单元中，这类应用尤为常见。总之，凡是对效率、体积和可靠性有较高要求的电源系统，均可考虑采用SDIA0540NT101作为核心整流或保护元件。

SDIA0540NT1G
　　SDIA0540NT3G
　　MBR1540T1G
　　SS1540
　　BAT54C
　　RB0540