时间:2025/12/26 0:11:16
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SDIA0520NT8R2是一款由SEMI-TEK(赛米科技)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用双二极管共阴极配置,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和极性保护电路中。该器件以其低正向压降、快速反向恢复时间和高效率著称,适合对能效和热性能要求较高的便携式电子设备和电源管理系统。其封装形式为SMA(DO-214AC),便于自动化贴片生产,具有良好的散热性能和机械稳定性。该型号中的“8R2”通常表示其电感值或特定版本标识,但在此上下文中更可能为产品序列或包装代码,实际参数应以官方数据手册为准。SDIA0520NT8R2的设计符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。
类型:肖特基二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):5A
峰值脉冲正向电流(IFSM):150A
最大正向电压(VF):0.53V @ 5A, 25°C
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V
反向恢复时间(trr):<30ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
封装类型:SMA (DO-214AC)
安装类型:表面贴装
SDIA0520NT8R2的核心特性在于其优异的电学性能与紧凑封装的结合,使其在现代高效能电源系统中表现出色。首先,其低正向导通压降(典型值仅为0.53V @ 5A)显著降低了导通损耗,提高了整体电源转换效率,特别适用于低电压大电流输出的DC-DC变换器中,如用于移动设备主板供电的Buck电路。相较于传统的PN结二极管,肖特基结构避免了少数载流子存储效应,因而具备极快的开关速度,反向恢复时间(trr)小于30纳秒,有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统的稳定性和可靠性。
其次,该器件采用双共阴极配置,两个独立的肖特基二极管共享一个阴极端子,这种结构常用于同步整流替代方案或双路输出整流电路中,简化了PCB布局并减少了元件数量。其高达5A的平均整流电流能力配合SMA封装良好的热传导设计,能够在有限空间内实现较高功率密度的应用需求。此外,器件具备150A的峰值浪涌电流承受能力,增强了在瞬态负载或启动冲击下的鲁棒性,适用于存在频繁启停或负载突变的电源环境。
从材料与制造工艺来看,SDIA0520NT8R2采用先进的平面工艺和金硅合金接触技术,确保了稳定的电气特性和长期工作的可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+125°C,适应严苛的工作环境,包括高温工业设备或低温户外装置。同时,产品符合RoHS指令,不含铅、镉等有害物质,并支持无铅回流焊工艺,满足现代电子产品绿色制造的要求。综合来看,该器件在效率、尺寸、可靠性和环保性之间实现了良好平衡,是中小功率开关电源设计中的理想选择之一。
SDIA0520NT8R2广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。常见用途包括:开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在低电压输出(如3.3V、5V、12V)的AC-DC适配器和DC-DC模块中;便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)的电源管理单元,用于电池充电路径的防反接与能量回收;分布式电源架构中的隔离与续流功能,例如在多相VRM(电压调节模块)中作为续流二极管使用;还可用于LED驱动电路、电机驱动器中的钳位保护以及反向电压极性保护电路。由于其快速响应特性,也适合高频PWM调制环境下的自由轮转(freewheeling)应用。此外,因其小型化SMA封装,非常适合空间受限的高密度PCB设计,广泛见于通信设备、工业传感器、智能家居控制板等嵌入式系统中。
MBR520AT3G
SB520HE3_A/H
SS520-T1-F
DSK56U20-7
BAT54CWS
SMA (DO-214AC)