SDIA0412NT3R3 时间：2025/12/26 1:08:50 阅读：16

SDIA0412NT3R3是一款由Laird-Sentrum（原Sentrum Semiconductor）生产的高性能片式铁氧体磁珠，专为高速数字电路和射频应用设计。该器件属于SDIA系列，采用0412封装尺寸（即公制103），具有小尺寸、低直流电阻和高阻抗特性，适用于便携式电子设备中的电源线或信号线滤波。SDIA0412NT3R3在高频下表现出优异的噪声抑制能力，能够有效吸收EMI（电磁干扰）噪声并将其转化为热能，从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　该磁珠的核心材料采用多层陶瓷与铁氧体复合结构，确保在宽频率范围内实现稳定的阻抗特性。其额定电流为3A，直流电阻典型值为35mΩ，能够在保持较低功耗的同时处理较大的工作电流，适合用于智能手机、平板电脑、无线通信模块、可穿戴设备以及汽车电子等对空间和性能要求较高的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的耐热性和可靠性，支持回流焊工艺，便于自动化贴装生产。

参数

产品类型：铁氧体磁珠
　　封装尺寸：0412（1.0mm x 0.6mm）
　　直流电阻（DCR）：35 mΩ 最大
　　额定电流：3 A
　　阻抗频率：100 MHz
　　阻抗值：330 Ω ±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　高度：约0.55 mm
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　RoHS合规性：是

特性

SDIA0412NT3R3的最主要特性之一是在100MHz频率下提供高达330Ω的阻抗值，这使其成为高效抑制高频噪声的理想选择。该阻抗主要由铁氧体材料的复数磁导率决定，在高频段表现为显著的感抗与电阻分量，能将高频噪声能量以热的形式耗散掉，而不是像电容那样反射噪声，从而避免了潜在的谐振问题。这种吸收型滤波机制特别适用于高速数据线路如USB、MIPI、HDMI以及RF天线馈线中，防止噪声耦合到敏感电路。
　　该器件采用多层片式结构设计，内部电极与铁氧体介质交替堆叠，增强了磁场闭合路径，提升了磁屏蔽效果，同时降低了外部磁场干扰的风险。相比传统绕线式电感，它具有更低的寄生电容，有助于拓宽有效抑制噪声的频率范围。此外，由于其低直流电阻仅为35mΩ，在通过3A大电流时产生的压降和功耗非常小，不会显著影响电源效率或导致过热问题，因此非常适合用于电池供电设备的电源去耦网络中。
　　SDIA0412NT3R3还具备出色的温度稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其工作温度范围达到-55°C至+125°C，满足工业级和部分汽车电子应用的需求。器件经过严格的环境测试，包括高温高湿存储、温度循环和耐焊接热测试，确保在复杂制造流程和恶劣使用环境中保持一致性。整体来看，该磁珠结合了小型化、高性能与高可靠性的优势，是现代高密度PCB布局中不可或缺的关键EMI抑制元件。

应用

SDIA0412NT3R3广泛应用于各类需要高效电磁干扰抑制的电子产品中。常见用途包括移动通信设备中的射频前端模块，用于滤除来自PA、LO或混频器的杂散噪声，保障接收灵敏度和发射纯净度；在智能手机和平板电脑的电源管理单元（PMU）输出端，该磁珠可用于构建LC滤波网络，清除开关电源引入的纹波和噪声，为处理器、内存和传感器提供干净的供电电压。
　　在高速数字接口如MIPI DSI/CSI、USB Type-C、HDMI等信号线上，SDIA0412NT3R3可用于串行差分对的共模噪声抑制，提升信号完整性并帮助通过EMC认证测试。此外，在无线耳机、智能手表等可穿戴设备中，由于空间极为有限且集成度高，该小型化磁珠可在不牺牲性能的前提下实现紧凑布局。
　　汽车电子领域也是其重要应用方向，例如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS摄像头模块和TCU（Telematics Control Unit）中，用于抑制点火系统、电机或其他高压部件传导过来的电磁噪声。同时，因其具备良好的耐温性能和可靠性，也可用于工业控制设备、物联网网关和嵌入式计算平台中的电源轨滤波与信号调理电路。