型号：SDF07N50
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.75 Ω（典型值，@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V（@ Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：600 pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：110 pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：48 ns
　　最大功耗（Ptot）：125 W（@ Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220/TO-220FP

SDF07N50具备多项优异的电气与物理特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的安全性与稳定性，适用于多种离线式电源拓扑结构，如反激、正激和半桥等。其次，该器件的导通电阻仅为0.75Ω（在Vgs=10V时），这一低Rds(on)值显著降低了导通期间的能量损耗，提升了整体系统效率，尤其在持续负载运行条件下效果更为明显。
　　此外，SDF07N50采用了优化的栅极设计，具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），从而减少了驱动电路所需的能量，并加快了开关速度，有利于提高开关频率并减小磁性元件体积。其栅极阈值电压范围适中（2.0~4.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，同时也支持模拟控制IC的直接驱动，增强了系统的集成灵活性。
　　该MOSFET还具备出色的雪崩耐量能力，能够在突发过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提升了整个电源系统的鲁棒性。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约48ns），有效抑制了反向恢复电流尖峰，减少了开关节点的电压振荡和电磁干扰，这对EMI滤波设计非常有利。
　　从热管理角度看，SDF07N50采用TO-220封装，具有较大的散热面积，可通过外接散热片进一步提升散热性能，确保长时间高负载运行下的温度可控。同时，其最大功耗可达125W（在壳温25°C时），结合良好的热阻特性，适合用于紧凑型但需要高效散热的应用场景。总体而言，SDF07N50以其高耐压、低导通损耗、良好开关特性和高可靠性，成为众多工业与消费类电源设计中的优选器件。

SDF07N50广泛应用于各类中等功率开关电源系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），特别是离线式AC-DC转换器，如手机充电器、笔记本电脑适配器和家用电器电源模块；DC-DC变换器中的升压、降压或反激拓扑结构，用于工业控制系统和通信设备供电单元；电子镇流器和LED驱动电源，其中高效率和低EMI表现尤为重要；此外，在UPS（不间断电源）、太阳能微型逆变器和小型电机驱动电路中也有广泛应用。
　　由于其具备500V耐压能力和较强的电流承载能力，SDF07N50特别适合工作在通用交流输入范围（85~265V AC）下的反激式转换器主开关管角色。在这些应用中，它能够以较高的开关频率运行，从而减小变压器和滤波元件的尺寸，实现更高功率密度的设计。同时，其快速开关特性和低栅极驱动需求使得控制芯片（如电流模式PWM控制器）可以轻松驱动该MOSFET，简化了驱动电路设计。
　　在照明领域，SDF07N50可用于高频荧光灯镇流器或大功率LED恒流驱动方案，提供稳定的功率切换功能。而在工业自动化设备中，常作为继电器替代或固态开关使用，实现无触点控制，延长使用寿命并提高响应速度。总之，凭借其可靠的性能和广泛的适用性，SDF07N50已成为许多工程师在中功率电源设计中的标准选型之一。

STP7NK50ZFP
　　STP7NC50
　　FQP7N50
　　K2741