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SDCL2012C3N9STDF 发布时间 时间:2025/12/28 10:33:44 查看 阅读:16

SDCL2012C3N9STDF是一款由Sunlord(顺络电子)生产的高频、小尺寸功率电感器,专为现代便携式电子设备和高密度PCB布局设计。该器件属于SDCL2012系列,采用先进的多层陶瓷工艺与金属合金磁芯材料结合制造,具备优异的磁屏蔽性能和温度稳定性。其紧凑的外形尺寸仅为2.0mm x 1.2mm x 1.0mm(L×W×H),符合小型化趋势,适用于空间受限的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、平板电脑和其他消费类电子产品。该电感器具有低直流电阻(DCR)、高饱和电流和良好的热稳定性,能够在高频开关电源中有效减少能量损耗并提升整体转换效率。此外,SDCL2012C3N9STDF采用端电极结构,并经过严格的高温回流焊兼容性测试,确保在SMT贴片工艺中的高可靠性和良品率。该产品符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适合大规模自动化生产。由于其出色的电磁兼容性(EMC)表现,能够显著降低对外部电路的噪声干扰,因此广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块(PMU)、射频电源滤波以及负载点电源(POL)等关键电路中。

参数

产品类型:功率电感器
  尺寸(mm):2.0 × 1.2 × 1.0
  电感值:3.9nH
  允许偏差:±0.3nH
  额定电流(Irms):1.8A
  饱和电流(Isat):2.5A
  直流电阻(DCR):45mΩ 最大
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  自谐振频率(SRF):>3GHz
  封装类型:2012(0805公制)
  屏蔽类型:磁屏蔽结构
  应用等级:工业级
  安装方式:表面贴装(SMT)

特性

SDCL2012C3N9STDF功率电感器具备卓越的高频性能与稳定的电感特性,在高达3GHz以上的自谐振频率下仍能保持良好的阻抗表现,适用于高频DC-DC变换器和射频前端电源去耦应用。其核心采用高性能金属合金磁性材料,具有极低的磁芯损耗和优异的温度稳定性,即使在极端工作条件下也能维持电感值的一致性,避免因温度升高导致的性能下降或系统不稳定。该器件的磁屏蔽结构设计有效抑制了漏磁通,减少了对邻近敏感电路(如射频线路、传感器信号路径)的电磁干扰,从而提升了系统的整体EMI性能。此外,低直流电阻(DCR)特性显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率,尤其在大电流输出场景中优势明显,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  该电感器具备高饱和电流能力(典型值达2.5A),意味着在瞬态负载变化时仍能维持稳定的电感性能,防止磁芯饱和导致的电流突变和电压跌落,保障电源系统的动态响应能力。其结构设计优化了热传导路径,使热量能够快速从内部线圈传递至PCB焊盘,增强了散热能力,进一步提升了长期运行的可靠性。此外,器件采用全自动化精密绕线与激光焊接技术,确保批次间一致性高,适合用于对品质要求严苛的消费电子与工业控制领域。端电极经过多层镀镍和锡处理,具备优良的耐腐蚀性和焊接可靠性,可在多次回流焊过程中保持良好润湿性,适应无铅焊接工艺。整体设计兼顾小型化、高效能与高可靠性,是现代高集成度电源解决方案中的理想选择。

应用

SDCL2012C3N9STDF广泛应用于各类需要小型化、高效率电源设计的电子设备中。典型应用场景包括移动通信设备中的射频功率放大器(PA)电源滤波、基带处理器和应用处理器的核电压供电(Core Voltage Supply)路径中的储能电感。在DC-DC降压转换电路中,该电感作为关键储能元件,用于平滑输出电流纹波并提高电源效率,特别适用于1MHz以上高频开关电源拓扑,如Buck、Boost及Buck-Boost电路。此外,它也常用于可穿戴设备(如智能手表、TWS耳机)的电源管理单元(PMU)中,满足这些设备对体积和功耗的双重限制。在高速数字电路中,该电感可用于局部电源去耦和噪声抑制,提升系统稳定性。其他应用还包括物联网终端、便携式医疗设备、无线模块、摄像头模组电源滤波以及LED驱动电路中的能量存储环节。由于其出色的EMI性能,也可用于对电磁兼容性要求较高的工业控制系统和汽车电子外围模块中。

替代型号

[
   "SDCL2012C3N9STDL",
   "XFL2012-3N9",
   "LQM2HPN3N9MG0L",
   "MLZ2012F3N9ST"
  ]

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