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SDCL1005C9N1JTDFM01 发布时间 时间:2025/9/19 14:30:32 查看 阅读:13

SDCL1005C9N1JTDFM01是一款由Samsung Electro-Mechanics(三星电机)生产的高频电感器(片式磁珠),专为射频(RF)和高速数字电路中的噪声抑制而设计。该器件属于SDCL系列,采用微型1005封装(公制尺寸:1.0mm x 0.5mm),适用于空间受限的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高密度PCB布局的应用场景。该磁珠在保持低直流电阻的同时,能够在特定频率范围内提供较高的阻抗,有效滤除高频噪声,提升信号完整性。其型号命名遵循Samsung的标准编码规则,其中'9N1J'表示标称阻抗为9.1Ω(在100MHz测试条件下),'T'代表编带包装,'D'可能表示卷盘规格,'FM'通常指符合RoHS和无铅焊接要求的产品等级。该器件采用多层陶瓷和内部金属化工艺制造,具备良好的温度稳定性和可靠性,适合回流焊工艺。由于其小型化和高性能特性,SDCL1005C9N1JTDFM01广泛应用于移动通信设备中的电源去耦、I/O线路滤波以及射频前端模块的EMI抑制。

参数

制造商:Samsung Electro-Mechanics
  产品系列:SDCL
  元件类型:片式磁珠(Ferrite Bead)
  封装/外壳:1005(0402 公制)
  尺寸:1.0mm x 0.5mm x 0.55mm
  直流电阻(DCR):最大 350mΩ
  额定电流:250mA(最大)
  标称阻抗:9.1Ω @ 100MHz
  测试频率:100MHz
  阻抗范围:典型值在1MHz至1GHz频段内上升
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  端接方式:镍/锡镀层,适用于SMT贴装
  无铅/环保:符合RoHS指令,无卤素

特性

SDCL1005C9N1JTDFM01作为一款高性能表面贴装磁珠,具备出色的高频噪声抑制能力,其核心优势在于在极小的物理尺寸下实现了稳定的电气性能。该器件采用先进的铁氧体材料与多层共烧技术,确保了在宽频范围内具有平坦且可控的阻抗响应。在100MHz时提供9.1Ω的标称阻抗,使其特别适用于中高频段的噪声滤波,能够有效吸收由高速开关电路或射频信号线产生的电磁干扰(EMI)。其低直流电阻(最大350mΩ)保证了在通过工作电流时的功耗最小化,避免因发热导致的效率下降或可靠性问题,这对于电池供电的移动设备尤为重要。
  该磁珠的设计支持高达250mA的额定电流,满足大多数低功率IC供电轨的去耦需求,例如为基带处理器、传感器、Wi-Fi/BT模块等提供干净的电源路径。此外,其工作温度范围宽达-55°C至+125°C,表现出优异的热稳定性,能够在极端环境条件下保持性能一致性。器件的端子采用镍/锡镀层处理,增强了焊接可靠性和耐腐蚀性,兼容标准回流焊工艺,便于自动化生产。结构上,1005封装不仅节省PCB空间,还降低了寄生电感和电容的影响,有助于维持信号完整性。
  Samsung SDCL系列磁珠经过严格的质量控制流程,符合RoHS和无卤素环保标准,适用于消费类电子产品的大规模制造。其FM后缀表明产品符合严格的环境和可靠性规范,适合用于对长期稳定性有要求的应用场景。此外,该器件具有良好的频率选择性,在不需要过度衰减有用信号的前提下,精准抑制高频噪声,避免影响系统正常运行。综合来看,SDCL1005C9N1JTDFM01是一款集小型化、低损耗、高稳定性于一体的磁珠解决方案,非常适合现代高集成度电子系统中的EMI管理需求。

应用

SDCL1005C9N1JTDFM01主要应用于需要高效电磁干扰(EMI)抑制的便携式电子设备中。其典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的射频前端模块(RF Front-End Modules),用于滤除来自天线开关、功率放大器或低噪声放大器的高频噪声,从而提升无线通信质量。此外,它也被广泛用于各类高速数字接口线路,如USB数据线、I2C总线、MIPI接口等,防止串扰和信号反射引起的误码率上升。在电源管理方面,该磁珠常被配置于低压差稳压器(LDO)输出端或DC-DC转换器后级,作为π型或L型滤波网络的一部分,用于净化供给敏感模拟电路(如音频编解码器、摄像头传感器)的电源电压。
  在可穿戴设备领域,由于产品对体积和功耗极为敏感,SDCL1005C9N1JTDFM01的小尺寸和低直流电阻特性使其成为理想的噪声抑制元件,可用于心率传感器、加速度计等微弱信号采集通道的前端保护。同时,在蓝牙耳机、智能手表等设备中,该磁珠也常用于电池供电路径或充电管理IC周边,以减少开关噪声对音频播放或无线连接性能的影响。工业和汽车电子中的小型化模块,如车载信息娱乐系统的子板卡或远程信息处理单元,也可能采用此类器件来满足EMC认证要求。总而言之,任何需要在有限空间内实现高频噪声抑制、提升系统抗干扰能力和信号完整性的场合,都是该磁珠的理想应用方向。

替代型号

BLM18AG921SN1D
  DLW21HN9N1SQ2L
  CM1005K9N1CT

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