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SDCL1005C3N3BTDF 发布时间 时间:2025/9/19 11:56:22 查看 阅读:10

SDCL1005C3N3BTDF是一款由Samsung Electro-Mechanics(三星电机)生产的高频片式电感器,属于其SDCL系列,专为小型化、高性能的移动通信设备和其他高频应用设计。该器件采用先进的多层陶瓷工艺制造,具有紧凑的尺寸和优异的电气性能,适用于现代便携式电子产品中对空间和效率要求极高的场合。SDCL1005C3N3BTDF的封装尺寸为1005(即1.0mm x 0.5mm),是目前市场上最小的标准贴片电感之一,适合高密度PCB布局。这款电感器主要应用于射频(RF)电路、阻抗匹配网络、滤波器以及去耦电路中,特别是在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网(IoT)模块等产品中广泛使用。
  该型号命名中的各个部分代表了其关键参数:SDCL为产品系列代码,1005表示其封装尺寸(英制1005,公制约1.0x0.5mm),C可能表示特定的材料或结构类别,3N3代表标称电感值为3.3nH,B可能是温度系数或特性代号,TDF通常表示编带包装形式及无铅环保规格。SDCL1005C3N3BTDF支持高频率工作,具备低直流电阻(DCR)、良好的Q值特性和稳定的温度特性,能够在GHz级别的无线通信频段(如Wi-Fi、蓝牙、5G NR等)中保持出色的信号完整性和能量传输效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的焊接可靠性和机械强度,适应自动化SMT生产工艺。

参数

型号:SDCL1005C3N3BTDF
  品牌:Samsung Electro-Mechanics
  封装尺寸:1005(1.0mm x 0.5mm)
  电感值:3.3nH
  电感公差:±0.2nH
  额定电流:250mA(典型)
  直流电阻(DCR):最大约0.45Ω
  自谐振频率(SRF):典型值大于6GHz
  Q值:在1GHz下典型值约为30
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +155°C
  安装方式:表面贴装(SMD)
  包装形式:编带(Taping)
  环保标准:符合RoHS指令

特性

SDCL1005C3N3BTDF作为三星电机推出的微型高频电感,具备卓越的高频响应能力和稳定性,特别适用于GHz级射频前端模块的设计需求。其核心优势在于采用了高性能的低温共烧陶瓷(LTCC)技术与精密薄膜工艺相结合,实现了极小体积下的高精度电感控制和优异的高频特性。该器件在1GHz至6GHz范围内表现出较高的Q值(品质因数),有助于降低信号损耗,提升射频链路的效率,尤其适合用于天线匹配网络、功率放大器输出匹配、低噪声放大器输入匹配等关键位置。同时,由于其自谐振频率(SRF)高达6GHz以上,确保了在主流无线通信频段内仍能保持纯电感行为,避免因寄生电容引起的性能下降。
  另一个显著特点是其严格的电感值公差控制,仅为±0.2nH,这对于需要高度一致性和精确阻抗匹配的应用至关重要,能够有效减少生产调试时间和提高成品良率。此外,该电感具有较低的直流电阻(DCR),虽然绝对值略高于大尺寸功率电感,但在同级别1005封装产品中仍处于领先水平,可在保证高频性能的同时兼顾一定的电流承载能力。器件还具备良好的温度稳定性和长期可靠性,在极端工作环境下仍能维持参数一致性,满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。其结构设计优化了磁通闭合路径,减少了电磁干扰(EMI)辐射,提升了系统EMC性能。整体而言,SDCL1005C3N3BTDF凭借其微型化、高Q值、高精度和高频率适应性,成为高端移动通信设备中不可或缺的关键被动元件之一。

应用

SDCL1005C3N3BTDF广泛应用于各类高频电子设备中,尤其是在移动通信终端领域表现突出。它常被用于智能手机的射频前端模块(FEM),参与构建天线调谐电路、功率放大器(PA)输出匹配网络以及双工器或滤波器周边的阻抗匹配结构,帮助实现多频段天线系统的高效切换与信号优化。在Wi-Fi 6/6E和蓝牙5.x模块中,该电感可用于LC滤波器设计,抑制高频噪声并提升无线连接的稳定性和速率。此外,在毫米波通信、UWB(超宽带)定位系统以及5G sub-6GHz射频收发链路中,SDCL1005C3N3BTDF也发挥着重要作用,因其小尺寸和高频率适应性而成为高集成度射频IC外围配套的理想选择。
  在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机和AR/VR头显中,PCB空间极为有限,对元器件的小型化要求极高,该电感凭借1005封装优势,能够在不牺牲性能的前提下实现密集布局。在物联网传感器节点、无线充电接收模块和NB-IoT通信模组中,它同样可用于电源去耦、RF匹配和EMI滤波等功能电路。此外,一些高性能数字处理器的高速信号线旁也会使用此类高频电感进行瞬态噪声抑制,保障信号完整性。总体来看,该器件适用于所有需要在GHz频段内实现高效能量传输和信号处理的场景,是现代高频电路设计中的关键基础元件。

替代型号

LQM18FN3N3D00
  RLFB1816-3N3B-T1
  MLG1005S3N3BT000
  BLM18AG3N3SN1D

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