型号：SDB1350MT5R6
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（单个半正弦波，8.3ms）
　　最大正向压降（VF）：0.52V @ 1A（典型值），0.62V @ 1.3A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C，50V；10mA @ 125°C，50V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约75°C/W（依PCB布局而定）
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　引脚数：2
　　安装方式：表面贴装（SMD）

SDB1350MT5R6的核心优势在于其低正向导通压降与高开关速度的结合，这使得它在低电压、大电流的应用中表现尤为出色。该肖特基二极管采用金属-半导体结结构而非传统的PN结，从而消除了少数载流子的存储效应，显著提升了开关响应速度，并有效避免了反向恢复过程中的能量损耗。这种特性对于现代高频开关电源（如DC-DC变换器）至关重要，因为它可以大幅降低开关节点处的振铃现象和电磁干扰（EMI），同时提高整体转换效率。
　　该器件的最大正向压降仅为0.62V（在1.3A条件下），相比传统硅整流二极管（通常为0.7V~1.2V），功耗明显更低，尤其在持续大电流工作的场景下节能效果显著。例如，在一个输出电流为1A的同步降压电路中作为续流二极管使用时，其导通损耗仅为0.62W左右，远低于普通二极管可能产生的1W以上损耗。这一特性有助于简化散热设计，甚至在许多情况下无需额外加装散热片即可满足热管理需求。
　　此外，SDB1350MT5R6具备较强的浪涌电流承受能力，高达30A的峰值浪涌电流允许其在电源启动或负载突变时可靠工作而不发生击穿。其反向漏电流控制良好，在常温下不超过0.5mA，在高温环境下虽有所上升但仍处于可接受范围，确保了待机状态下的低静态功耗。该器件的工作结温可达+125°C，适合在较为严苛的环境温度下运行，配合合理的PCB铜箔散热设计可进一步提升长期可靠性。
　　封装方面，SDB1350MT5R6采用标准SMA（DO-214AC）表面贴装封装，尺寸小巧（约4.3mm x 2.8mm x 2.2mm），便于自动化贴片生产，且与多种现有设计兼容，有利于产品快速导入量产。整体而言，这款二极管凭借其高效、紧凑、可靠的特性，成为中小功率电源系统中的理想选择。

SDB1350MT5R6广泛应用于各类需要高效整流与快速开关响应的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、移动电源）中的充电管理电路和电源路径切换，用于防止电池反向放电并实现低损耗能量传输。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，尤其是在反激式（Flyback）、降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中承担续流或输出整流功能，帮助提升整体能效并减少发热。
　　该器件也适用于DC-DC转换模块，特别是在非同步整流架构中替代MOSFET体二极管以降低导通损耗。此外，在LED驱动电源、小型逆变器、UPS不间断电源、家用电器控制板以及工业传感器供电单元中也能见到其身影。由于其具备良好的高温稳定性和抗浪涌能力，SDB1350MT5R6还可用于汽车电子外围电路（如车载充电器、照明模块）中，尽管并非专为AEC-Q101认证设计，但在非严苛车规环境中仍可稳定运行。
　　另一个重要用途是作为防反接保护二极管，连接在电源输入端以防止因电池或外部电源接反而损坏后级电路。由于其低正向压降特性，此类应用中电压损失小，不会显著影响系统工作效率。同时，其快速响应能力也可抑制瞬态反向电压冲击，提供一定程度的电路保护。综上所述，SDB1350MT5R6是一款通用性强、性价比高的肖特基二极管，适用于广泛的民用与工业级低电压电源系统。

MBR140T1G
　　SK15
　　B540C-13-F
　　1N5819WS
　　SS1P4