时间:2025/12/26 0:23:58
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SDB1040MTR56是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术制造,适用于高效率开关电源应用。该器件封装在PowerFLAT 3.3x3.3mm或DFN类似的紧凑型表面贴装封装中,具有低热阻特性,能够在较小的PCB空间内实现高效的功率处理能力。SDB1040MTR56专为满足现代电子设备对小型化、高能效和高可靠性需求而设计,广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等场景。
这款MOSFET的关键优势在于其优异的导通电阻与栅极电荷平衡性能,在保证快速开关的同时降低传导损耗。其额定电压为100V,能够承受较高的工作电压瞬变,并具备良好的雪崩能量耐受能力,增强了系统的鲁棒性。此外,该器件符合RoHS环保标准,无卤素(halogen-free),适合用于绿色电子产品设计。由于采用了MOSFET的先进技术,SDB1040MTR56在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,支持自动贴片生产工艺,适用于大规模自动化组装流程。
型号:SDB1040MTR56
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):100 V
连续漏极电流(Id) @25℃:19 A
脉冲漏极电流(Idm):76 A
导通电阻(Rds(on)) @10V Vgs:5.6 mΩ
导通电阻(Rds(on)) @4.5V Vgs:7.2 mΩ
栅源阈值电压(Vgs(th)):2.3 V
栅极电荷(Qg) @10V Vgs:22 nC
输入电容(Ciss):1280 pF
输出电容(Coss):140 pF
反向恢复时间(Trr):22 ns
工作结温范围(Tj):-55 至 150 ℃
封装类型:PowerFLAT 3.3x3.3
SDB1040MTR56具备出色的电气特性和热性能,使其成为中高功率密度电源设计中的理想选择。首先,其低导通电阻Rds(on)在不同栅极驱动条件下均表现优异,例如在Vgs=10V时仅为5.6mΩ,显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,从而提高整体系统效率,尤其适用于大电流持续工作的场合,如同步整流或电池管理系统中的主开关元件。同时,该MOSFET的栅极电荷Qg较低(典型值22nC),有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度,降低开关过程中的动态损耗,提升高频操作下的能效表现。
其次,该器件采用先进的沟道设计与硅工艺优化,在保持高性能的同时实现了极小的芯片尺寸,配合PowerFLAT 3.3x3.3mm封装,提供了卓越的散热能力与单位面积电流承载能力。这种封装形式具有极低的热阻(Rthj-mb),允许热量更有效地从芯片传递至PCB,进而通过大面积敷铜层散发,确保器件在长时间满负荷运行下不会因过热而失效。此外,SDB1040MTR56具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度,可在非理想工作条件下维持稳定运行,提升了整个系统的可靠性。
再者,该MOSFET支持宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适应严苛环境条件下的应用需求,包括工业控制、汽车电子外围电路及便携式设备。其符合AEC-Q101可靠性认证的部分版本可用于车载系统,增强了适用性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间(Trr约22ns),有利于减少续流过程中的功耗和电磁干扰,特别适合用于半桥或全桥拓扑结构中的自由轮换路径。综合来看,SDB1040MTR56在性能、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡,是现代高效电源管理方案中极具竞争力的N沟道MOSFET器件。
SDB1040MTR56广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。常见用途包括同步降压转换器(Buck Converter),特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和通信电源模块中作为主开关或同步整流管使用,利用其低Rds(on)和快速开关特性来提升转换效率并减小散热需求。此外,它也适用于DC-DC升压变换器(Boost Converter)及多相电源架构,在这些拓扑中承担能量传递和调节功能。
在电池供电设备领域,如电动工具、无人机、便携式医疗设备和移动储能电源中,SDB1040MTR56常被用作负载开关或电池保护电路中的通断控制元件,凭借其低导通压降有效延长电池续航时间。其高电流承载能力(可达19A连续电流)使其也能胜任中小型电机驱动应用,例如风扇控制、步进电机驱动板或智能家电中的执行机构驱动。
工业自动化系统中,该器件可用于PLC输出模块、继电器替代电路(固态开关)以及隔离式电源前端开关。在汽车电子方面,尽管未明确标称为车规级,但其部分特性满足车载环境要求,可应用于车身控制模块、车载充电辅助电路或LED照明驱动电源中。此外,由于其封装小巧且支持回流焊工艺,非常适合高度集成的PCB布局设计,尤其适用于追求轻薄化的消费类电子产品。总体而言,SDB1040MTR56是一款通用性强、性能优越的功率MOSFET,适用于多种中压、中大电流的开关电源与功率控制场景。
STD1040L
STP1040M
IPD180P04LG