工作频率范围：1000 MHz 至 4000 MHz
　　标称耦合系数：3.3 dB
　　插入损耗：典型值约 0.5 dB
　　方向性：典型值大于 20 dB
　　VSWR（输入端口）：最大 1.5:1
　　额定功率：平均功率处理能力为 10 W
　　封装类型：表面贴装技术（SMT），具体尺寸依据制造商规格书
　　阻抗匹配：50 欧姆系统兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

SDB1040MT3R3定向耦合器具备卓越的方向性表现，在整个工作频段内能够有效区分前向与反射信号，这对于实现精准的驻波比（VSWR）测量和功率监控至关重要。其典型方向性超过20 dB，意味着即使在高频段也能保持较低的耦合误差，从而提高系统的测量精度。该器件的耦合系数稳定在3.3 dB左右，属于强耦合类型，适用于需要较高取样信号强度的应用场景，如自动电平控制（ALC）环路或发射机输出功率检测。由于采用了先进的薄膜制造工艺和高Q值介质材料，SDB1040MT3R3在宽频带范围内展现出平坦的频率响应特性，保证了不同频率下性能的一致性。
　　插入损耗极低，典型值仅为0.5 dB，这显著减少了主传输路径上的信号衰减，有助于维持系统的整体效率。同时，输入端口的电压驻波比（VSWR）不超过1.5:1，表明其具有优良的阻抗匹配能力，可减少信号反射带来的失真问题。该器件支持高达10 W的连续波（CW）平均功率处理能力，适用于中等功率级别的射频系统，且在高温环境下仍能稳定运行。SDB1040MT3R3采用小型化表面贴装封装，不仅节省电路板空间，还便于实现自动化组装，提升了生产效率。其全封闭结构设计增强了抗电磁干扰（EMI）能力和机械稳定性，适合部署于复杂电磁环境中。此外，器件经过严格的老化测试和环境应力筛选，确保长期使用的可靠性和耐用性，适用于工业、商业及部分军用通信平台。

SDB1040MT3R3广泛应用于各类高性能射频系统中，尤其适用于需要实时监测发射功率和反射功率的无线基础设施设备，如蜂窝基站、点对点微波通信系统以及宽带无线接入网络。在这些系统中，它常被集成于功率放大器模块前端，用于构建闭环自动电平控制系统（ALC），以维持输出功率的恒定并防止过驱动导致的失真或损坏。此外，该耦合器也适用于测试与测量仪器，例如矢量网络分析仪（VNA）或频谱仪中的内置功率采样单元，帮助校准和验证射频信号路径的性能。在雷达和电子战系统中，SDB1040MT3R3可用于信号分配与监测子系统，提供可靠的前向/反向功率分离功能。由于其宽频带特性和良好的温度稳定性，该器件同样适合多频段或多模通信设备的设计，支持从L波段到S波段的操作需求。在有线电视（CATV）分布系统和卫星通信终端中，也可利用其高方向性和低插入损耗优势进行信号质量监控。总之，凡是需要高精度、高稳定性的射频功率耦合解决方案的场合，SDB1040MT3R3都是一个值得信赖的选择。

SDB1040MT3R5
　　SDB1040MT3R0
　　ADT2-1T3R3
　　HMC1040LC5