类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.48V（在1A条件下）
　　最大峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　反向漏电流（IR）：最大20μA（在25°C环境温度下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA (DO-214AC)
　　安装方式：表面贴装
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns

SDB1040MT1R5作为一款高性能肖特基势垒二极管，其核心优势在于极低的正向导通压降，这使得它在大电流通过时能够显著减少功率损耗并提升系统整体效率。在1A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.48V，远低于传统硅PN结二极管的0.7V以上水平，因此特别适合应用于电池供电设备或需要节能运行的电源系统中。此外，由于肖特基结构本身不依赖少数载流子存储效应进行导通，该器件具备非常快的开关响应能力，反向恢复时间（trr）不超过30ns，有效抑制了高频开关过程中的反向电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）风险，并提升了DC-DC变换器的稳定性。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，能够在常见的低压电源轨如5V、12V、24V系统中安全工作，适用于适配器、USB充电电路、主板电源模块等多种应用场景。其1A的平均整流电流能力足以应对大多数中等功率负载需求，同时具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，可在瞬间上电或负载突变情况下提供可靠的保护作用。器件的工作结温可达+125°C，配合良好的PCB散热设计可确保长期稳定运行。SMA封装不仅体积小巧（约4.3mm x 2.6mm x 2.2mm），还具备良好的机械强度和热传导性能，便于实现高密度布局。
　　SDB1040MT1R5采用无铅材料与绿色封装工艺，符合RoHS指令及卤素含量限制要求，适应全球环保法规趋势。该器件经过严格的质量控制流程生产，具备高可靠性与一致性，适用于汽车电子外围电路、通信模块、智能家居设备等领域。其较低的反向漏电流（最大20μA）也有助于在待机或低功耗模式下维持系统的能源效率。综合来看，这款二极管是兼顾性能、尺寸与可靠性的理想选择，尤其适用于追求小型化与高效能平衡的设计方案。

广泛应用于直流-直流转换器中的续流与整流环节、电源极性反接保护电路、电池充放电管理系统、USB电源接口防护、消费类电子设备（如智能手机、平板电脑、路由器）的辅助电源路径、工业控制板卡的隔离与钳位电路、LED驱动电源以及各类适配器与充电器模块中。

MBR140T1G, SS14, SB140, B140A