类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单组
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流反向电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：2A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向压降（VF）：0.55V @ 2A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：1mA @ 60V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：DFN10 (3.3x3.3)
　　安装类型：表面贴装
　　热阻结至环境（RθJA）：40°C/W
　　热阻结至焊盘（RθJP）：18°C/W

SDB0620MTR33的最显著特性之一是其低正向压降（VF），在2A电流下仅为0.55V左右，这大大降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间并减少热量积累。得益于采用先进的肖特基势垒技术，该器件实现了金属-半导体结的快速响应能力，使其具备极短的反向恢复时间（trr），几乎可以忽略不计，因此非常适合高频开关应用，如同步整流型DC-DC变换器。这种快速开关行为还能有效抑制电磁干扰（EMI），提升系统电磁兼容性。
　　该二极管采用DFN10封装（3.3mm x 3.3mm），具有极小的占位面积和薄型结构，适用于空间受限的高密度PCB布局。封装底部带有散热焊盘，能够通过PCB上的热过孔将热量迅速传导出去，从而显著改善热管理性能。其热阻结至焊盘（RθJP）仅为18°C/W，说明其散热效率非常高，可在持续大电流工作条件下保持较低的工作温度，增强长期运行的可靠性。
　　SDB0620MTR33支持高达2A的平均整流电流和50A的峰值浪涌电流，具备较强的瞬态负载承受能力，能够在电源启动或负载突变时提供稳定保护。其最大反向电压为60V，适用于中低压电源系统，例如12V或24V工业控制电路、USB PD电源路径、PoE受电设备等。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，反向漏电流在150°C时仍控制在可接受范围内，确保了在恶劣工况下的安全运行。
　　该产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，意味着其经过严格的应力测试，包括温度循环、高温反偏、湿度敏感等级评估等，适用于车载电子系统。同时，器件无卤素（Halogen-free）且符合RoHS指令，支持绿色环保制造流程。其卷带包装（MTR33）形式便于自动化贴片生产线使用，提高组装效率和一致性。综合来看，SDB0620MTR33是一款集高效、小型、可靠于一体的先进功率肖特基二极管，适用于现代高性能电子系统的设计需求。

SDB0620MTR33广泛应用于各类需要高效整流和低损耗功率管理的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中该二极管作为续流或输出整流元件，利用其低正向压降和快速恢复特性来提升转换效率，特别适用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源模块。在电池管理系统中，该器件可用于防止反向电流流动，实现电池反接保护功能，保障系统安全。
　　在工业控制领域，SDB0620MTR33常用于PLC电源、传感器供电电路和隔离电源的次级侧整流，其高可靠性和宽温度范围适应能力使其能在复杂电磁环境和高温环境中稳定运行。此外，该二极管也适用于USB供电系统，尤其是支持USB Type-C和Power Delivery（PD）协议的设备中，用于电源路径切换和过压保护电路，确保主控芯片不会因异常电压而损坏。
　　在通信模块和物联网（IoT）设备中，由于这些系统对功耗极为敏感，SDB0620MTR33的低VF特性可显著降低待机和工作状态下的能量损耗，延长设备工作时间。其小型DFN封装也非常适合高度集成的无线模组，如Wi-Fi、蓝牙或LoRa模块的电源管理部分。另外，该器件还可用于LED驱动电源、小型电机驱动电路中的续流保护以及太阳能充电控制器中的防逆流装置。
　　在汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q101认证，SDB0620MTR33可用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、车载充电器和车身控制模块等场景，满足车规级对温度、振动和长期稳定性的严苛要求。总之，该器件凭借其优异的电学性能和封装优势，成为现代高效电源设计中不可或缺的关键组件。

SDB0620ALT1G
　　MBRB2H60V
　　SS34
　　SBT2060P3