类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向压降（VF）@ 5A：850mV
　　最大漏电流（IR）@ 25°C：500μA
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：PowerDI?5000
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：40°C/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns

SDB0530MT2R2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降（VF）。在5A的工作电流下，其最大正向压降仅为850mV，相比普通快恢复二极管可大幅减少导通损耗，提高电源系统的整体效率。这种低VF特性尤其适用于低压大电流输出的DC-DC转换器中，例如用于CPU供电、FPGA电源或电池充电管理电路，能够在高负载条件下保持较低的温升，提升系统可靠性。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值小于5纳秒，几乎不存在电荷存储效应，因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有助于减小电磁干扰（EMI）并提升开关电源的动态响应性能。这对于工作频率在数百kHz甚至MHz级别的同步整流拓扑尤为重要，可以有效避免因二极管反向恢复引起的能量损耗和开关管应力增加。
　　PowerDI?5000封装是一种高性能的双引线表面贴装封装，具有优异的热传导能力，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，实现高效的热管理。即使在满载5A电流下连续工作，只要PCB布局合理（如使用足够面积的铜箔散热），即可将结温控制在安全范围内。该封装尺寸紧凑，典型尺寸约为4.7mm x 3.6mm x 1.1mm，节省宝贵的PCB空间，适用于小型化和高集成度的设计需求。
　　此外，SDB0530MT2R2具备良好的抗浪涌能力，可承受高达50A的峰值正向浪涌电流（IFSM），使其在面对输入端瞬态冲击（如电源插拔、雷击感应等）时仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。其反向漏电流在常温下不超过500μA，在高温环境下也保持相对较低水平，确保在待机或轻载状态下功耗可控。综合来看，该器件在效率、热性能、可靠性和封装密度方面实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的理想选择之一。

SDB0530MT2R2广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在低电压输出（如3.3V、5V、12V）的AC-DC适配器和DC-DC转换器中作为输出整流二极管使用。由于其低正向压降特性，能够显著提升低压大电流输出时的转换效率，减少发热，适用于笔记本电脑电源、路由器、机顶盒等消费类电子产品。
　　在同步整流架构尚未普及或成本受限的应用中，SDB0530MT2R2常被用作续流二极管（freewheeling diode）或箝位二极管（clamp diode），用于BUCK、BOOST、Flyback等拓扑结构中，以提供电流回路并防止电压反冲损坏主开关管。其快速恢复特性有效抑制了反向恢复噪声，提高了系统EMI表现。
　　该器件也适用于电池供电设备中的电源路径管理与极性反接保护电路。例如在移动电源、手持仪器、便携式医疗设备中，SDB0530MT2R2可用于防止电池反接导致的损坏，同时因其低VF特性可最小化正常工作时的电压损失，延长续航时间。
　　工业控制领域中，它可用于PLC模块、传感器供电单元、电机驱动电路的续流保护；在通信设备中，则常见于基站电源模块、光模块内部电源转换等场合。此外，还可用于太阳能充电控制器、LED驱动电源、逆变器等新能源相关产品中，发挥其高效率和高可靠性的优势。

SDM530-TP
　　SS530-D100
　　MBR0530T