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SDB0520MTR22 发布时间 时间:2025/12/26 0:06:56 查看 阅读:18

SDB0520MTR22是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基二极管阵列,采用双二极管串联配置,专为高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护等应用设计。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有低正向压降和快速恢复特性,能够有效提升系统效率并减少热损耗。其封装形式为SMA(DO-214AC),是一种表面贴装的小型化封装,适合高密度PCB布局。SDB0520MTR22的命名中,“SDB”代表肖特基二极管系列,“0520”表示最大重复峰值反向电压为50V,平均整流电流为2A;“MTR”表明其为卷带包装,适用于自动化贴片生产;“22”可能为版本或批次标识。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及便携式电源管理系统中,具备良好的可靠性和稳定性。由于其低功耗特性和紧凑封装,特别适合对空间和能效要求较高的现代电子产品设计。

参数

类型:双串联肖特基二极管
  配置:串联
  最大重复峰值反向电压(VRRM):50V
  最大直流阻断电压(VR):50V
  平均整流电流(IO):2A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):60A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向压降(VF):0.55V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 50V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约70°C/W(典型值,取决于PCB布局)
  封装类型:SMA(DO-214AC)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

SDB0520MTR22的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,使得该器件在导通时表现出极低的正向电压降,通常在1A电流下仅为0.55V左右,显著低于传统PN结二极管。这种低VF特性直接转化为更低的功率损耗和更高的转换效率,尤其在低压大电流的应用场景中表现突出,例如在5V至12V输入的DC-DC降压变换器中可有效减少发热,提升整体能效。
  此外,作为一款无恢复电荷(Qc ≈ 0)且无反向恢复时间(trr < 10ns)的器件,SDB0520MTR22在高频开关环境下几乎不会产生开关噪声和电磁干扰(EMI),从而提高了系统的电磁兼容性。这一特性使其非常适合用于开关电源中的续流二极管或箝位二极管,避免因反向恢复引起的电压尖峰导致主开关管损坏。
  该器件还具备优良的热稳定性和可靠性,在+150°C的最大结温下仍能正常工作,满足严苛环境下的长期运行需求。SMA封装不仅体积小巧(约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm),而且具有较好的散热性能,通过PCB上的焊盘可实现有效的热传导。同时,卷带包装(MTR)形式便于自动贴片机取料,适用于大规模SMT生产工艺,提升了生产效率与一致性。
  SDB0520MTR22符合RoHS环保标准,并通过了多项国际认证,包括JEDEC Level评级和AEC-Q101车规级可靠性测试的部分项目,因此也可应用于汽车电子中的非驱动类电源模块。总体而言,这款二极管凭借其高效、快速、可靠的特点,在现代电力电子系统中扮演着关键角色。

应用

SDB0520MTR22广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,尤其是在低电压输出(如3.3V、5V)的反激式或正激式转换器中作为次级侧整流元件,利用其低正向压降降低导通损耗,提高电源效率。它也常被用作DC-DC升压或降压模块中的续流二极管,在开关管关断期间提供电流通路,防止电感反电动势造成损坏。
  在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑、移动电源等,SDB0520MTR22可用于电源路径管理或反接保护电路,确保系统在插拔充电器或更换电池时的安全性。其快速响应能力还能有效抑制瞬态电压波动,提升系统稳定性。
  此外,该器件适用于适配器、USB充电器、LED驱动电源、工业控制板卡、网络通信设备的辅助电源单元,以及汽车电子中的12V车载电源系统(如信息娱乐系统、传感器供电模块)。由于其表面贴装封装,特别适合高度集成化的PCB设计,有助于缩小产品体积,满足轻薄化趋势的需求。在防反接、防倒灌电路中,SDB0520MTR22也能发挥重要作用,替代传统机械继电器或P沟道MOSFET方案,实现更简单的拓扑结构和更低的成本。

替代型号

MBR2550CTG
  SR505-TP
  SS25L50TU
  BAT54CWS
  SBR2U50

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