时间：2025/8/9 8:24:06
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SD863-10是一款由Sanken（三垦）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。
类型：N沟道
最大漏极电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SD863-10的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力使其能够在高压环境中稳定工作，而大电流承载能力则适合需要高功率输出的应用。此外，该器件的热稳定性优异，能够在高温条件下保持性能稳定，延长使用寿命。
这款MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的温度上升。其设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统效率。同时，SD863-10具备较高的抗干扰能力，可以在复杂的电磁环境中保持稳定工作。
SD863-10主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。在这些应用中，其高效能和高可靠性使其成为理想的选择，特别是在需要处理高电压和大电流的场景中。
IRF1405, SiHF863-10
