SD833-06-TE12R 是一款由 Semtech 公司生产的双向瞬态电压抑制器(TVS)阵列芯片,专为保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术,具有快速响应时间和高能量吸收能力,适用于各种工业、消费电子和通信设备中的电路保护应用。
类型:双向TVS二极管
工作电压:6V
最大反向关态电压:6V
钳位电压(Ipp):12.8V(最大值)
峰值脉冲电流(Ipp):30A
响应时间:1ns
封装形式:SOT-23-6
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
SD833-06-TE12R 采用双向保护结构,能够有效地对正负两个方向的瞬态电压进行抑制,确保信号线路在各种工作条件下的稳定性与安全性。该器件的低钳位电压特性使其在遭受瞬态高压时能够迅速导通,将电压钳制在安全范围内,从而保护下游电路不受损坏。此外,其紧凑的SOT-23-6封装设计不仅节省PCB空间,还便于集成在高密度电路板中。
该TVS二极管具有高达±30kV的ESD保护能力,符合IEC 61000-4-2标准中对静电放电抗扰度的要求,适用于高速数据线路、USB接口、HDMI端口以及其他需要高可靠性保护的信号通道。SD833-06-TE12R 还具有良好的热稳定性和长期可靠性,能够在恶劣的环境条件下保持稳定的工作性能。其低漏电流设计也确保了在正常工作状态下对电路功耗的影响最小化,有助于提升整体能效。
SD833-06-TE12R 主要用于以下场景中的电路保护:工业自动化控制系统、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)、通信设备(如路由器、交换机和基站)、汽车电子系统(如车载娱乐系统和传感器模块)以及医疗设备等。其优异的保护性能和广泛适用性使其成为现代电子设备中不可或缺的元件之一。
SD833-06-TE12R 可以使用以下替代型号:TI 的 TPD3E001 或 STMicroelectronics 的 ESDALC6V1-1BU4。这些器件在功能和性能上与 SD833-06-TE12R 相似,并且也适用于ESD保护应用。