产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：15A（每芯片）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：80A
　　最大正向压降（VF）：0.57V @ 15A, TJ=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, TJ=125°C
　　结温（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMC（DO-277A）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJA）：约30°C/W（典型值，取决于PCB布局）
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns（典型值）

SD54-333MLD的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑封装的结合，特别适用于高效率、高功率密度的电源系统。其采用的肖特基势垒技术实现了极低的正向导通压降，在15A大电流下仍能维持低于0.6V的VF值，显著降低了导通损耗，从而提升了整体能效。这一特性在电池供电设备或节能型电源设计中尤为重要。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间通常小于30ns，几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的尖峰电流和电磁干扰问题，有助于简化EMI滤波设计并提高系统稳定性。
　　该器件采用双共阴极结构，两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种配置非常适合用于同步整流拓扑中的续流路径，或者在双路输出DC-DC变换器中实现独立但对称的整流功能。共阴极设计减少了外部连接复杂度，节省了PCB空间，并提高了组装良率。此外，SMC封装具有较大的焊盘面积，有利于热量从芯片传导至PCB，配合适当的铜箔布局可实现高效散热，支持持续大电流运行。器件的热阻RθJC仅为1.5°C/W左右，表明其内部热传导路径优化良好，能够在高负载条件下有效控制结温上升。
　　SD54-333MLD还具备出色的可靠性和环境适应性。其工作结温范围达到-55°C至+150°C，可在高温工业环境或密闭空间内长期稳定运行。反向漏电流在高温条件下仍保持较低水平（典型值0.5mA @ 30V, 125°C），减少了待机功耗和热积累风险。此外，器件能承受高达80A的非重复浪涌电流，表明其对输入端瞬态冲击（如电源上电、雷击感应等）具有较强耐受能力，提升了系统的抗扰性和寿命。所有材料均符合IPC/JEDEC标准，经过严格的湿度敏感度等级（MSL）测试，确保在回流焊工艺中的可靠性。

SD54-333MLD广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中，尤其是在便携式设备和高频率开关电源领域表现突出。常见应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的多相Buck转换器，作为同步整流器的续流二极管使用，利用其低VF特性降低功耗，延长电池续航时间。在服务器和通信基站的板级电源模块中，该器件可用于中间总线转换器（IBC）或POL（Point-of-Load）稳压器中，满足高电流、低电压输出的需求。此外，它也适用于太阳能逆变器、LED驱动电源以及汽车信息娱乐系统的DC-DC电源部分，尤其在启停系统或车载充电器中需应对频繁开关和温度波动的场合。
　　由于其快速响应能力和低噪声特性，SD54-333MLD还可用于高频逆变电路、电机驱动中的箝位保护以及H桥拓扑中的自由轮转路径。在USB PD快充适配器或多口充电站中，该器件常被用作次级侧整流元件，以支持高功率密度设计。另外，其共阴极结构也使其适用于双通道电源输出的隔离整流，例如为CPU核心和I/O部分分别供电的VRM架构。在工业控制和自动化设备中，该二极管阵列可用于PLC电源单元、传感器接口模块和嵌入式控制器的辅助电源，保障系统在恶劣电气环境下的稳定运行。

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　　 "SD54-333MLDW",
　　 "SD54-30A",
　　 "MBR1530CT",
　　 "SB1530",
　　 "DS15-30A"
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