时间：2025/6/22 4:38:25
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SD523WV033C200RT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
该型号属于功率MOSFET系列，采用 TO-263 封装形式，具备出色的散热性能和可靠性，适合各种工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1040pF
开关时间：开通延迟时间 13ns，上升时间 9ns，关断延迟时间 34ns，下降时间 20ns
功耗：144W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SD523WV033C200RT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高电流承载能力确保在大功率应用场景下的稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
5. 内置反向二极管，有助于简化电路设计并增强性能。
6. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产和装配。
7. 在极端温度范围内保持稳定的电气性能，适应恶劣环境需求。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业设备中的负载切换和保护电路。
4. 新能源汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
5. 数据中心和通信基站中的电源管理模块。
6. 高效 LED 驱动器中的功率级控制。
7. 各种 DC/DC 转换器和逆变器中作为关键功率元件。
IRF7729PbF, FDP55N06L, STP120NF06
