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SD323WV05C750BT 发布时间 时间:2025/6/21 16:08:16 查看 阅读:4

SD323WV05C750BT是一款高性能的开关电源用功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高效率、高频率的应用场合,例如适配器、充电器和DC-DC转换器等。其优化的Rds(on)值和快速开关特性使其成为降低功耗的理想选择。
  SD323WV05C750BT具有出色的热性能和电气性能,能够承受较高的电流负载并保持较低的导通损耗。此外,它还具备良好的雪崩能力和抗静电能力,从而提高了系统的可靠性和稳定性。

参数

型号:SD323WV05C750BT
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):750V
  Rds(on)(导通电阻):4.5Ω
  Id(连续漏极电流):6.8A
  Qg(栅极电荷):38nC
  EAS(雪崩能量):1.5J
  f(max)(最大工作频率):500kHz
  封装:TO-220AC

特性

SD323WV05C750BT的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压,额定耐压为750V,适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻,在满载条件下能有效降低功耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,可支持高达500kHz的工作频率,适合高频应用。
  4. 优秀的动态性能,包括较小的栅极电荷和输出电容,进一步提升了开关效率。
  5. 良好的热性能和散热设计,确保在高功率运行时仍能保持稳定。
  6. 集成的ESD保护功能增强了器件在恶劣环境中的可靠性。

应用

SD323WV05C750BT广泛应用于各种电源管理和功率转换场景中,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电池充电器
  3. DC-DC转换器
  4. LED驱动电路
  5. 工业控制和电机驱动
  6. 消费类电子产品中的电源模块
  由于其高压和高效的特点,这款MOSFET非常适合需要高可靠性和高效率的电子设备。

替代型号

IRF740,
  STP75NF06,
  FQP19N50,
  IXTH16N75P3

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