SD300N28PC 时间：2025/12/26 20:25:53 阅读：32

SD300N28PC是一款由Vishay Siliconix生产的高电压、大电流的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场合。该器件采用先进的沟槽型场效应技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其最大漏源击穿电压为280V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适合在中高压系统中使用。SD300N28PC封装于TO-247形式，具有优良的散热性能，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、电力电子设备及照明电源等多种应用场景。
　　该MOSFET设计注重能效与可靠性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗，有助于提升整体系统效率。同时，其栅极电荷量较低，减少了驱动电路的能量消耗，使得控制器更容易驱动。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可有效减少换流过程中的能量损耗和电磁干扰问题。此外，器件符合RoHS环保标准，并具备高抗雪崩能力，增强了在异常工况下的耐用性。

参数

型号：SD300N28PC
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：280V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on) max）：0.065Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：3200pF @ VDS=25V
　　封装形式：TO-247

特性

SD300N28PC的核心优势在于其出色的导通性能与高电压耐受能力的结合。该器件的导通电阻典型值仅为65毫欧，在280V级别的N沟道MOSFET中属于较低水平，这显著降低了在大电流工作条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性得益于Vishay先进的沟槽栅工艺技术，该技术通过优化晶圆内部结构，提升了载流子迁移率并减小了导通路径的电阻。此外，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，其导通电阻随温度上升的变化率相对较小，确保了在长时间运行或高负载情况下的可靠性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。SD300N28PC具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而减轻了驱动电路的设计负担，并有助于降低开关损耗。这对于诸如LLC谐振变换器、有源钳位反激式电源等高频率拓扑尤为重要。同时，器件的反向传输电容（Crss）也控制得较好，提升了抗噪声能力和dv/dt耐受性，减少了误触发的风险。
　　热管理方面，TO-247封装提供了较大的金属背板面积，便于安装散热器，实现高效散热。该封装还具备较高的热传导效率，使结到外壳的热阻（RθJC）保持在较低水平，通常约为0.6°C/W，有利于维持芯片工作温度在安全范围内。此外，器件具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发过压或感性负载切断时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统在恶劣工况下的鲁棒性。综合来看，这些特性使SD300N28PC成为中高功率开关电源设计中的优选器件之一。

应用

SD300N28PC广泛用于多种高效率、高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中作为升压开关管使用，凭借其高耐压和低导通损耗的优势，能够显著提升PFC级的转换效率。此外，在DC-DC变换器如半桥、全桥和推挽拓扑结构中，该器件可用于主开关元件，适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块等领域。
　　在电机驱动系统中，SD300N28PC可用于中小功率的直流无刷电机或步进电机驱动电路，其快速开关响应和低损耗特性有助于提高驱动精度和能效。同时，它也可用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担高频切换任务，确保输出波形质量的同时降低发热。
　　照明电源领域也是其重要应用方向之一，尤其是在高压LED驱动电源中，该MOSFET可作为主控开关，适应宽输入电压范围并实现恒流输出控制。此外，由于其具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，也被用于电池充电器、电焊机电源、感应加热设备等对可靠性要求较高的工业设备中。总之，凡涉及280V以下中高压、中大电流开关操作的应用场景，SD300N28PC均表现出良好的适用性和性能优势。