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SD241 发布时间 时间:2025/7/25 10:11:59 查看 阅读:3

SD241是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关以及高功率应用中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性,适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。SD241通常采用TO-252(DPAK)或TO-263(D2PAK)等表面贴装封装形式,便于散热和高密度PCB布局。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):8A(在25°C下)
  导通电阻(Rds(on)):≤40mΩ(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):32W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)或TO-263(D2PAK)

特性

SD241的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热性能,使其在功率转换应用中表现出色。
  首先,SD241的导通电阻非常低,典型值小于40mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。在高电流负载下,低Rds(on)可以显著减少功率损耗和发热,从而提升整体系统的可靠性和稳定性。
  其次,该MOSFET能够承受高达30V的漏源电压,并支持高达8A的连续漏极电流(在25°C下),适用于中高功率的电源转换和负载开关应用。此外,SD241的栅极驱动电压范围宽泛,支持常见的10V或更高的驱动电压,兼容多种栅极驱动器电路。
  再次,SD241采用了先进的封装技术,如TO-252或TO-263,具备良好的热管理能力,能够在高功率密度环境下稳定工作。其封装设计允许直接焊接在PCB上,适合自动化生产,并有助于提高散热效率。
  最后,SD241具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行,适用于工业控制、电源适配器、电池管理系统和电动工具等应用场景。

应用

SD241广泛应用于各种电源管理与功率控制领域,包括但不限于以下应用场景:
  在开关电源(SMPS)中,SD241作为主功率开关器件,用于实现高效率的能量转换,适用于AC-DC和DC-DC转换器的设计。
  在DC-DC降压(Buck)或升压(Boost)转换器中,SD241作为高边或低边开关,用于调节输出电压和电流,广泛用于通信设备、服务器电源和便携式电子产品中。
  在负载开关电路中,SD241用于控制大功率负载的通断,如电机驱动、LED照明、加热元件等,具有快速开关响应和低功耗的优点。
  此外,SD241也适用于电池管理系统(BMS)、电动工具、逆变器、UPS(不间断电源)以及工业自动化设备中,作为高效率的功率开关元件。
  由于其优异的导通特性和良好的热管理能力,SD241还可用于多相电源设计和并联功率分配系统中,以实现更高的电流输出和更均匀的热分布。

替代型号

Si4410BDY, FDS4410, AO4406, IRF7413, FDMS4410

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SD241参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥568.93480散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)35 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)700 mV @ 30 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1.5 mA @ 35 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3
  • 供应商器件封装TO-204AD(TO-3)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C