SD12.TCT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,从而显著降低了功率损耗并提高了系统的整体效率。
这款芯片在设计上注重散热性能,并具备出色的耐热能力和过流保护功能,使其能够在苛刻的工作环境下稳定运行。
类型:N沟道 MOSFET
额定电压:60V
额定电流:15A
导通电阻:2.8mΩ(典型值)
栅极电荷:39nC(最大值)
输入电容:1050pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
SD12.TCT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,能够适应高频应用需求。
3. 内置过流保护机制,增强器件的可靠性。
4. 宽工作温度范围,适合多种工业环境。
5. 稳定的电气性能和良好的热稳定性,保证长期使用的可靠性。
6. 封装形式兼容性强,便于集成到现有设计中。
SD12.TCT 可用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 充电器、适配器等消费类电子产品中的功率管理组件。
6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品中的关键功率器件。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP15N6S