电容值：12pF
　　公差：±0.5pF
　　介质材料：C0G (NP0)
　　额定电压：50V
　　封装尺寸：0805（2012公制）
　　温度系数：0 ±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　绝缘电阻：>10,000MΩ
　　最大纹波电流：根据应用环境而定

SD12-821-R电容器的核心特性在于其使用的C0G（NP0）介质材料，这种材料确保了电容器在宽温度范围内具有极高的电容稳定性。其温度系数为0 ±30ppm/℃，意味着电容值几乎不会随温度变化而发生显著偏移，这对于需要高精度和稳定性的电路设计至关重要。
　　此外，该电容器的封装形式为0805（2012公制），适合高密度PCB布局，并且能够承受较高的焊接温度，适用于自动化贴片工艺。其额定电压为50V，能够满足大多数中高压电路的需求，同时具备良好的耐久性和长期可靠性。
　　SD12-821-R还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频应用中表现优异，尤其适合用于射频电路中的耦合、旁路和滤波功能。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于精密模拟电路和高阻抗电路中。
　　由于其优异的电气性能和稳定性，SD12-821-R在通信设备、工业控制系统、测试仪器以及航空航天等高要求领域中得到了广泛应用。

SD12-821-R主要应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。在射频（RF）系统中，该电容器常用于滤波器、匹配网络、耦合和旁路电路，以确保信号的纯净度和稳定性。在振荡器电路中，SD12-821-R的高精度和低温度漂移特性有助于维持稳定的振荡频率，适用于时钟发生器和频率合成器。
　　此外，该电容器也广泛用于精密模拟电路，如运算放大器反馈网络、滤波电路和高精度测量设备中，以确保信号链的准确性和稳定性。在工业控制和自动化设备中，SD12-821-R可用于电源去耦和噪声抑制，提高系统的抗干扰能力。
　　在通信基础设施中，如基站、光模块和无线接入设备中，SD12-821-R的高频性能和可靠性使其成为关键的无源元件之一。在航空航天和军事电子设备中，该型号的温度稳定性和长期可靠性也使其成为首选电容器之一。

VJ1206Y120JXAC-01, GRM21BR71H123KA01, C1608C0G1H120J