型号：SD107WS-TP
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：4.6A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：18.4A
　　导通电阻RDS(on)：13mΩ（@VGS=4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：16mΩ（@VGS=2.5V）
　　阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.2V
　　栅极电荷Qg：6.8nC（@VGS=4.5V）
　　输入电容Ciss：470pF（@VDS=10V）
　　反向恢复时间trr：未指定（体二极管）
　　工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散PD：1W（@TA=25°C）

SD107WS-TP采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使其在低电压、高效率的电源转换应用中表现出色。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为13mΩ，意味着在相同电流下产生的导通损耗更低，有助于提高系统的整体能效并减少发热。这一特性特别适合用于电池供电设备中的开关控制，例如智能手机、可穿戴设备和蓝牙耳机等，能够在延长续航时间的同时维持稳定的输出性能。此外，较低的RDS(on)也允许更高的电流承载能力，在有限的空间内实现更强的功能集成。
　　该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，可以直接由3.3V或更低电压的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。这对于现代嵌入式系统尤为重要，尤其是在追求小型化和低功耗设计的趋势下，逻辑电平驱动能力显著提升了其实用性。同时，其栅极电荷Qg仅为6.8nC，表明开关过程所需的驱动能量较少，有利于实现高频开关操作，并降低驱动电路的负担。
　　SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计后仍具备一定的散热能力，适用于中等功率的应用场景。然而，在持续大电流工作条件下，仍需通过PCB布局优化（如加宽走线、增加敷铜区域）来辅助散热，以确保长期工作的可靠性。此外，该MOSFET内置的体二极管可用于续流或反接保护，但在高频开关应用中应注意其反向恢复特性可能带来的额外损耗。总体而言，SD107WS-TP凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和良好的驱动兼容性，成为众多中小功率电源管理方案中的理想选择。

SD107WS-TP广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理与开关控制电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同模块的供电通断，以实现节能和电源序列管理。例如，在智能手机和平板电脑中，可用于屏幕背光、传感器或外设接口的电源控制。此外，它也常用于DC-DC转换器中的同步整流电路，替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和功耗，从而提升转换效率，特别是在升压或降压拓扑结构中表现优异。
　　在电池管理系统（BMS）中，SD107WS-TP可用于充放电路径的通断控制，配合保护IC实现过充、过放和短路保护功能。其低RDS(on)特性有助于减小电池内阻带来的压降，延长使用时间。同时，该器件适用于各类电源多路复用（Power MUX）电路，实现主备电源之间的自动切换，保障系统持续供电。在LED驱动电路中，也可作为开关元件用于调节亮度或控制通断状态。
　　由于其SOT-23封装体积小、重量轻，非常适合空间受限的高密度PCB设计，常见于TWS耳机、智能手环、物联网模块等小型化产品中。此外，在工业控制、家用电器的小信号开关以及电机驱动的低端侧开关电路中也有应用。得益于其良好的温度特性和稳定性，该器件还能在一定范围的恶劣环境中稳定运行，满足消费类与部分工业级产品的设计需求。

SI2302-DS,ME2302,AO3400,DMG2302U