类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：6A
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　导通电阻(Rds(on))：最大32mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻(Rds(on))：最大42mΩ @ Vgs=2.5V
　　封装类型：TSON
　　安装类型：表面贴装

SD107WS-AU R1 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得该 MOSFET 在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高了整体效率。
　　此外，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于多种中等功率级别的开关电路。
　　其栅极驱动电压支持较低的 2.5V 至 4.5V 范围，使其兼容多种现代低电压控制 IC，适用于电池供电设备和低功耗系统。
　　SD107WS-AU R1 采用 TSON 封装，具有良好的热管理性能，能够在有限的空间内实现高功率密度的设计。
　　该器件的热阻（Rth(j-a)）较低，有助于在高负载条件下维持稳定的温度表现，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　由于其优异的电气特性和封装设计，SD107WS-AU R1 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、电池管理系统以及各种便携式电子产品中。

SD107WS-AU R1 主要用于以下几类应用：首先是电源管理系统，尤其是在需要高效能与低功耗的电池供电设备中，如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等。
　　其次，该器件适用于 DC-DC 转换器中的同步整流电路，有助于提升转换效率并减小整体电路体积。
　　另外，SD107WS-AU R1 也常用于马达驱动和负载开关电路，其低导通电阻和高电流能力使其能够有效地控制电机或大功率负载的启停。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，该 MOSFET 可用于电源管理模块、LED 驱动器、传感器控制电路等，提供稳定的开关性能。
　　同时，其热增强型封装设计也使其适用于高密度 PCB 布局，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。

Si2302DS, 2N7002K, FDN340P, AO3400A