时间：2025/12/26 12:01:18
阅读：8
SD107WS-7是一款由SiliConex公司生产的双P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高性能电源管理应用而设计。该器件集成在紧凑的SOT-363（SC-88）封装中，非常适合空间受限的便携式电子设备。两个独立的P沟道MOSFET允许灵活配置，可用于负载开关、电源路径控制、电池备份系统以及极性反接保护等电路。由于其低导通电阻和小尺寸特性，SD107WS-7广泛应用于移动通信设备、便携式医疗仪器、消费类电子产品及工业控制系统中。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下长期运行。
类型：双P沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-363 (SC-88)
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：-1.8A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.6A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V；55mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
输入电容(Ciss)：90pF @ VDS = 10V
功率耗散(PD)：300mW
SD107WS-7采用先进的TrenchFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减小了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。其最大RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，在低电压供电系统中表现出优异的性能，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。两个通道完全对称且电气参数一致，支持并联使用以进一步降低等效导通电阻或实现双路独立控制。
该器件的栅极驱动电压兼容3.3V和2.5V逻辑电平，可直接由常见的微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了BOM成本。其快速开关特性使得在高频切换应用中也能保持较低的开关损耗。此外，TrenchFET结构还优化了跨导(gm)和电荷转移(Qg)，有助于提升动态响应能力。
SOT-363六引脚封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.0mm x 1.25mm x 0.9mm），而且具有良好的散热性能，能够在有限空间内实现高效热传导。器件内部结构经过优化，具备较强的抗静电(ESD)能力，HBM模型下可达±2000V，增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。所有材料均符合无卤素和无铅要求，满足现代绿色电子产品的环保规范。
SD107WS-7常用于需要高密度集成和低功耗特性的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的屏幕背光电源开关、摄像头模块的电源控制、USB接口的过流保护与热插拔管理。在电池管理系统中，它可作为充电路径和放电路径的双向阻断开关，防止反向电流造成能量浪费或电路损坏。
在工业领域，该器件适用于传感器信号调理电路的电源门控、PLC输入输出模块的隔离控制以及小型电机驱动电路中的电平转换部分。在医疗电子设备如血糖仪、心率监测器中，因其低静态功耗和高可靠性，被用于关键子系统的电源启停控制。
此外，SD107WS-7也适用于构建高效的极性反接保护电路，当电源极性接反时，P沟道MOSFET自动截止，从而保护后级敏感电路不受损害。在冗余电源切换系统中，两个通道可用于主备电源之间的无缝切换，确保系统持续稳定运行。其高速开关能力和低延迟响应也使其适用于精密仪器中的模拟开关阵列或继电器替代方案。
[
"APM2302W-7",
"DMG2302U-7",
"SI2302DDS-T1-E3",
"FDC630P",
"NTR2P02X100L"
]
