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SD103CW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 3:54:57 查看 阅读:21

SD103CW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-323封装。该器件专为高效率、低电压整流应用而设计,广泛用于便携式电子设备和高频开关电源中。由于其小尺寸和高性能特性,SD103CW-7-F在空间受限的应用场景中表现出色。该二极管具有较低的正向压降和快速的反向恢复时间,能够有效减少功率损耗并提高系统整体效率。此外,其采用无铅(RoHS合规)封装工艺,符合现代电子产品对环保的要求。

参数

产品类型:肖特基二极管
  是否无铅:无铅
  是否环保:RoHS合规
  最大重复反向电压:40V
  平均整流电流:200mA
  正向压降:最大450mV(在100mA时)
  反向漏电流:最大1μA(在25°C时)
  峰值脉冲电流:500mA
  工作结温范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装/外壳:SOD-323

特性

SD103CW-7-F的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,这种结构利用金属与半导体之间的接触形成整流效应,相较于传统的PN结二极管,具备更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。该器件的最大重复反向电压为40V,适用于中低压直流电路中的整流、防反接以及续流保护等应用场景。其平均整流电流可达200mA,在轻载或中等负载条件下可稳定运行,并能承受最高达500mA的峰值脉冲电流,适合处理瞬态电流冲击。
  由于采用SOD-323小型化表面贴装封装,SD103CW-7-F非常适合高密度PCB布局,尤其适用于智能手机、平板电脑、无线模块、蓝牙耳机等对体积敏感的消费类电子产品。该封装还具备良好的热传导性能,能够在有限的空间内实现有效的热量散发,从而保障长期工作的可靠性。
  该二极管的正向压降典型值仅为450mV(测试条件为100mA),显著低于传统硅二极管的约700mV,因此在相同工作电流下产生的功耗更小,有助于提升电源转换效率并降低温升。同时,其反向漏电流在25°C环境温度下最大仅为1μA,确保在待机或低功耗模式下不会因漏电造成额外的能量损失,这对电池供电设备尤为重要。
  工作结温范围覆盖-55°C至+125°C,表明该器件不仅能在常温环境下可靠运行,还能适应较为严苛的工业级温度条件。此外,存储温度范围达到-65°C至+150°C,增强了其在运输、储存及极端环境下的稳定性。整体设计符合无铅焊接工艺要求,支持回流焊和波峰焊等多种贴片组装方式,便于自动化生产流程集成。

应用

主要用于便携式消费类电子产品中的电源管理电路,如手机、MP3播放器、数码相机等设备的电池充电路径中的防反接保护和能量回收;也常见于DC-DC转换器中作为续流二极管使用,以提高转换效率;适用于信号整流、电压钳位、ESD保护电路以及各类需要快速响应和低功耗特性的模拟前端设计;在物联网模块、传感器供电单元、LED驱动电路中也有广泛应用;还可用于高频开关电源、适配器次级侧整流及小功率AC-DC整流场合。

替代型号

[
   "BAT54C",
   "RB751S-40",
   "DMK103C-7-F",
   "MMBD103CWT",
   "ZLL103C"
  ]

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SD103CW-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)350mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)600mV @ 200mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)10ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 10V
  • 电容@ Vr, F28pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称SD103CW-7-FDIDKR