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SD05CT1G 发布时间 时间:2025/6/22 7:58:20 查看 阅读:3

SD05CT1G 是一款由东芝公司生产的场效应晶体管(FET),属于功率半导体器件。该器件主要应用于开关电源、电机驱动以及逆变器等领域,具有高耐压、低导通电阻和快速开关的特点。SD05CT1G 的设计使其能够在高频应用中保持高效的性能,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
  其内部结构采用了先进的沟槽式技术,从而显著降低了导通电阻,并提升了整体效率。这使得 SD05CT1G 成为需要高效功率转换或精密控制的电子系统中的理想选择。

参数

类型:N沟道场效应晶体管
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大连续漏极电流(Id):3.2A
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.8Ω
  功耗(Ptot):70W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

SD05CT1G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压:高达 650V 的漏源电压,适用于高电压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻:仅为 0.8Ω 的导通电阻有效减少功率损耗,提高能效。
  3. 快速开关速度:得益于先进的沟槽式工艺,开关时间短,适合高频应用。
  4. 热稳定性:能够承受较高的结温范围,确保长时间运行的可靠性。
  5. 小封装尺寸:采用紧凑型封装形式,节省电路板空间。
  6. 可靠性高:通过严格的制造工艺和测试流程,保证产品在各种恶劣条件下的稳定性能。

应用

SD05CT1G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - 包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动:
   - 用于家用电器中的小型电机控制。
  3. 逆变器:
   - 在光伏逆变器和不间断电源 (UPS) 中作为关键功率元件。
  4. LED 驱动:
   - 提供高效的 LED 照明驱动方案。
  5. 保护电路:
   - 如过流保护和短路保护等电路设计。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP5500
  IXFN24N60D
  AO3400

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